單電子晶體管建模及其電路仿真驗證.pdf_第1頁
已閱讀1頁,還剩66頁未讀, 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進(jìn)行舉報或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡介

1、隨著半導(dǎo)體集成電路集成度的不斷提高,傳統(tǒng)微電子器件的應(yīng)用和發(fā)展受到了前所未有的阻礙,而單電子晶體管將有望成為新型集成化器件結(jié)構(gòu)之一。本文在簡要回顧MOSFET工作原理的基礎(chǔ)之上,對納米電子器件中最具代表性的單電子晶體管(SET)的結(jié)構(gòu)和工作原理進(jìn)行了詳細(xì)的討論。在單電子隧穿正統(tǒng)理論的基礎(chǔ)之上,建立了單電子晶體管的解析模型和SPICE模型,并通過對兩種模型的仿真結(jié)果進(jìn)行分析,分別說明了每個模型的特性;采用單電子晶體管的SPICE模型實現(xiàn)了

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論