半導體光刻中晶圓缺陷問題的研究.pdf

1、在摩爾定律的指引下，半導體工業(yè)每兩至三年就跨上一個新的臺階。大量資金投入，工程技術人員的使用高于工業(yè)界平均比例，這些導致了半導體生產高昂的分攤成本,加上激烈競爭使得產品價格持續(xù)下滑，驅使大部分芯片生產廠運行在一個大規(guī)模量產，高良品率的水平上。維持及提高良品率對半導體工業(yè)至關重要，無論對于哪種工藝技術，高水平的工藝良品率是生產性能可靠的芯片并獲得收益的關鍵所在。
　　抑制良品率的重要方面是有缺陷的晶圓一般是無法修復的。在某些情況下沒

2、有滿足性能要求的晶圓被降級處理做低端應用。廢棄的晶圓可以發(fā)揮余熱，被用作某些制程工藝的控制晶圓或假片，這些缺陷主要來源于晶圓生產區(qū)域涉及到的不同的液體、氣體、潔凈室空氣、人員、工藝、設備和水。微粒和其它細小的污染物寄留在晶圓內部或表面，晶圓表面受到了污染或產生不規(guī)則的孤立區(qū)域。很多缺陷是在光刻時造成的，研究并解決光刻晶圓缺陷問題，對提高芯片良品率意義重大[1]。
　　本文首先對微電子技術，集成電路，半導體制造基本流程進行了簡單的概