高開(kāi)口率像素設(shè)計(jì)與畫面品質(zhì)改善的研究.pdf

1、近年來(lái)隨著市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的激烈以及TFT-LCD技術(shù)方面的不斷發(fā)展，畫面品質(zhì)(開(kāi)口率、串?dāng)_等)的提升已經(jīng)成為TFT-LCD企業(yè)的首要問(wèn)題。而為了在畫面品質(zhì)方面有很大的提高，都不斷地在技術(shù)能力方面進(jìn)行完善，以此來(lái)適應(yīng)市場(chǎng)的需要。因此，畫面品質(zhì)已經(jīng)成為TFT-LCD在顯示領(lǐng)域的持續(xù)發(fā)展方向。本文重點(diǎn)對(duì)改善垂直串?dāng)_進(jìn)行研究，為今后出現(xiàn)的相關(guān)問(wèn)題提供參考。
　　1.在對(duì)氮化硅沉積條件進(jìn)行的分析與研究中，充分分析參數(shù)條件變化對(duì)薄膜質(zhì)量的影響情況：

2、(1)隨著溫度的增加，成膜的速率增加，氮化硅薄膜的折射率也隨著溫度的增加而增加；膜的均勻性隨溫度的增加先變好后變差。(2)射頻功率越大，成膜速率越快，而且沉積下來(lái)的氮化硅膜結(jié)構(gòu)致密，膜的折射率減小，但是射頻功率不能過(guò)大，否則沉積速率過(guò)快，導(dǎo)致膜的均勻性降低，結(jié)構(gòu)疏松，鈍化性降低；(3)隨著壓力增加，沉積速率增大，反應(yīng)壓力要大于1000mtorr保證等離子體在特定結(jié)構(gòu)的反應(yīng)器中能夠正常且穩(wěn)定的輝光放電；而且從實(shí)驗(yàn)得到的數(shù)據(jù)顯示，壓力高于1

3、500mtorr時(shí)，氮化硅薄膜的均勻性很差，對(duì)成膜的質(zhì)量有很大的不良影響，并且壓力對(duì)折射率的影響不大。(4)隨著SiH4/NH3的增加，成膜速率也隨著增加，但是隨著其比例的增加成膜速率的增加變的緩慢，而且為了確保設(shè)備正常工作，這個(gè)比例應(yīng)小于240sccm/720sccm；膜的折射率也隨著SiH4/NH3的增加而增加，同時(shí)，均勻性也有變好的趨勢(shì)。
　　2.在分析PVX鈍化層對(duì)TFT特性及陣列結(jié)構(gòu)的影響研究中，在Resin層與S/D層

4、之間加有PVX鈍化層，能夠起到一個(gè)連接過(guò)渡的作用，改善了Resin與S/D金屬之間直接連接而產(chǎn)生的斷層現(xiàn)象；而且當(dāng)厚度為300 A左右的情況下，能夠得到較小的漏電流，改善了TFT特性，減小了因TFT漏電而產(chǎn)生的垂直串?dāng)_的可能性。
　　3.我們通過(guò)對(duì)像素結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的改變，在工藝允許的情況下，增加Resin厚度、減小Resin材料介電常數(shù)或者減小Data與像素電極ITO之間Overlap值，可以達(dá)到改善垂直串?dāng)_的目的。在實(shí)際的測(cè)試中將R