45nm半導(dǎo)體器件接觸孔連接工藝的研究與改進(jìn).pdf_第1頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

1、半個(gè)多世紀(jì)以來(lái)，在摩爾定律的驅(qū)動(dòng)之下，集成電路工藝技術(shù)有了長(zhǎng)足進(jìn)步。目前45nm工藝已經(jīng)成為半導(dǎo)體技術(shù)的主流。金屬鎢擁有的良好化學(xué)穩(wěn)定性和抗電遷移能力。因此鎢栓工藝仍然是45nm節(jié)點(diǎn)中連接器件源/漏、柵極和金屬互連線的重要組成部分。鎢栓工藝必須配合Ti/TiN沉積工藝來(lái)使用。隨著工藝尺寸的不斷減小，孔洞深寬比(AR)的不斷提高，傳統(tǒng)的鎢栓工藝正面臨巨大的技術(shù)難題。
　　本文基于45nm工藝技術(shù)，介紹沉積Ti/TiN薄膜所使用的金屬

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