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文檔簡(jiǎn)介
1、在電子封裝技術(shù)中,釬焊界面反應(yīng)是實(shí)現(xiàn)焊點(diǎn)可靠互連的關(guān)鍵。釬焊時(shí),若微焊點(diǎn)兩側(cè)界面存在溫度差,形成溫度梯度,則能夠引起金屬原子的定向遷移,即產(chǎn)生熱遷移現(xiàn)象,進(jìn)而會(huì)影響基體金屬的溶解和界面金屬間化合物(IMC)的生長(zhǎng)乃至轉(zhuǎn)變。目前,釬焊條件下微焊點(diǎn)的熱遷移問(wèn)題尚屬電子封裝互連技術(shù)領(lǐng)域的新課題,相關(guān)研究尚不完善,亟需開展深入研究。本論文研究了熱遷移作用下Cu/Sn-xZn/Cu焊點(diǎn)的釬焊界面反應(yīng)、原子定向遷移規(guī)律、界面IMC類型與形貌變化,并
2、對(duì)熱遷移理論中的關(guān)鍵常數(shù)遷移熱Q*進(jìn)行了推理及計(jì)算。
研究結(jié)果表明:
(1)Cu/Sn/Cu焊點(diǎn)熱遷移時(shí),冷、熱端界面處生成的IMC均由釬料側(cè)較厚的Cu6Sn5和Cu基板側(cè)較薄的Cu3Sn組成。熱遷移造成了冷、熱端界面IMC厚度的顯著差異,且隨溫度升高,影響加劇,Cu向冷端遷移的現(xiàn)象也更明顯。在純Sn釬料中,由于Sn原子數(shù)量巨大,因此溶入釬料中的Cu原子為主要遷移元素。熱遷移時(shí),溶入釬料中的Cu原子在溫度梯度作用下形
3、成由熱端向冷端的凈遷移流,導(dǎo)致冷端界面IMC生長(zhǎng)速度大于熱端,表現(xiàn)為冷端界面IMC厚度比熱端大,且冷、熱端厚度差隨反應(yīng)時(shí)間延長(zhǎng)而增大。冷端界面IMC層的厚度隨釬焊時(shí)間呈線性變化,為反應(yīng)控制;熱端呈拋物線式變化,為擴(kuò)散控制。
(2)Cu/Sn-1Zn/Cu焊點(diǎn)250℃熱遷移時(shí),反應(yīng)開始冷、熱端均生成Cu5Zn8,繼而發(fā)生Cu5Zn8向Cu6(Sn,Zn)5轉(zhuǎn)變(冷端轉(zhuǎn)變較快),最后兩側(cè)界面完全變?yōu)镃u6(Sn,Zn)5。反應(yīng)過(guò)程
4、中發(fā)生了主遷移元素的轉(zhuǎn)換:反應(yīng)60min以前,Zn作為主擴(kuò)散元素向熱端遷移,熱端界面生成的Cu5Zn8IMC較冷端厚;60min后,由于Zn元素消耗殆盡,Cu將作為主擴(kuò)散元素向冷端遷移,冷端Cu6(Sn,Zn)5厚度迅速增長(zhǎng)并遠(yuǎn)超過(guò)熱端。經(jīng)過(guò)計(jì)算得出Zn的遷移熱為+9.053kJ/mol。在280℃反應(yīng)時(shí),界面IMC類型和轉(zhuǎn)變規(guī)律同250℃,但溫度升高使得界面反應(yīng)速度和程度增加,出現(xiàn)主遷移元素轉(zhuǎn)換的時(shí)間縮短了大約45min。
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