InGaAs-GaAs量子阱光致發(fā)光譜研究.pdf

1、本論文“InGaAs/GaAs量子阱光致發(fā)光譜研究”的主要內(nèi)容有三部分。包括：1.量子阱結(jié)構(gòu)特點(diǎn),分子束外延系統(tǒng)制備材料方法以及熒光光譜原理介紹：2.自組裝熒光光譜實(shí)驗(yàn)光路系統(tǒng)介紹及各部分對測量效果的影響；3.通過熒光光譜實(shí)驗(yàn)研究不同結(jié)構(gòu)InGaAs/GaAs量子阱材料熒光譜,改變測量溫度分析熒光譜變化。通過對材料的熒光光譜測量并結(jié)合理論分析,本文取得的主要研究成果如下： 1.從量子阱結(jié)構(gòu)出發(fā)建立模型,計(jì)算出InGaAs/GaA

2、s單量子阱中電子能級(jí)隨勢阱寬度以及In組分含量變化關(guān)系。并通過自組裝的熒光測量系統(tǒng)從實(shí)驗(yàn)中得到證實(shí)。 2.研究了InGaAs/GaAs單量子阱熒光峰隨溫度變化特性。通過實(shí)驗(yàn)譜圖和理論分析。提出在不同測量溫度下,熒光產(chǎn)生的機(jī)制有差別：低溫下熒光峰主要來源于激子的躍遷；在常溫下則是帶-帶間載流子躍遷。 3.研究了快速熱退火處理后材料熒光峰的變化。由實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析推斷出熱退火工藝改變了量子阱的能帶結(jié)構(gòu)。造成熒光峰位和熒光強(qiáng)度的變