MBE生長GaAs-AlGaAs量子阱材料結(jié)構(gòu)及其光學(xué)性能研究.pdf

1、自1985年GaAs/AlGaAs量子阱被證實(shí)對長波紅外光有吸收作用以來，GaAs體系的超晶格量子阱材料以其穩(wěn)定性好易于實(shí)現(xiàn)器件工藝、均勻性好易于制備大面陣焦平面的優(yōu)勢，逐漸被廣泛應(yīng)用于紅外探測器的研制，目前基于GaAs/AlGaAs多量子阱材料的紅外探測器已開始向多波段、太赫茲特性方向發(fā)展。本文系統(tǒng)研究了GaAs/AlGaAs這一典型超晶格量子阱材料從結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、材料表征到性能測試的實(shí)驗(yàn)過程及結(jié)果分析，為后期器件設(shè)計(jì)的精確實(shí)現(xiàn)提供理論依

2、據(jù)。論文主要包括三個(gè)部分：
　　第一部分理論介紹。包括對GaAs/AlGaAs紅外探測器、超晶格量子阱材料的發(fā)展歷程及現(xiàn)狀的概述，及分子束外延（MBE）生長技術(shù)、表面形貌觀測、結(jié)構(gòu)參數(shù)測定、光致發(fā)光性能的實(shí)驗(yàn)方法簡介。
　　第二部分計(jì)算模擬。通過對量子阱中能帶結(jié)構(gòu)的計(jì)算模擬，分析了結(jié)構(gòu)參數(shù)對紅外探測波長的影響，結(jié)果表明紅外探測峰值波長隨壘高的增大而減小，隨壘寬增大而增大，但影響不大。超晶格結(jié)構(gòu)中隨阱寬增大，紅外探測峰值波長增