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1、本論文針對界面耦合對兩層膜體系的相變行為的影響,分數(shù)厚度的磁性薄膜的性質(zhì)等理論問題,或發(fā)展新的計算方法,或應(yīng)用蒙特卡羅模擬,得到了以下結(jié)果。為了實驗對居里相變和自旋重定向相變展開研究,搭建了磁化率測量設(shè)備,并作了初步的應(yīng)用?! ?.研究了界面耦合對兩層膜體系的相變行為的影響。提出了一種新的基于平均場近似的計算方法,從而可以考慮結(jié)構(gòu)對材料的影響,并且得到了鐵磁耦合的兩層膜體系的分層磁性,證明高Tc薄膜的Tc會由于界面耦合而被提高。發(fā)現(xiàn)b
2、cc結(jié)構(gòu)受界面耦合的影響最為強烈,次之為fcc,影響最小的是sc。界面耦合在高Tc膜和低Tc膜材料中的不同衰減速度也得到了充分的討論?! ?.分數(shù)厚度的磁性薄膜的性質(zhì)。結(jié)果如下:原子所構(gòu)成的島的大小是薄膜磁性的決定性因素,而不是島的位置。具有單一的相變行為的薄膜的所有的島的大小應(yīng)該相同。當島很大時,如64*64,體系中可以觀察到明顯的兩個相變的過程。當島很小時,如1*1,1.25ML的薄膜的居里溫度等于1ML的居里溫度。當島由大變小時
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