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文檔簡介
1、本論文選擇了密度泛函理論的第一性原理方法,對SrTiO3鐵電薄膜同質(zhì)外延生長初期進行了理論模擬研究。所有計算均采用Materials Studio 4.0中的DMOl3軟件包。 首先,在激光分子束外延(LMBE)生長SrTiO3薄膜過程中,激光閃蒸出的sr、Ti、O原子的微觀反應過程及粒子形態(tài),是SrTiO3薄膜生長初期形成的關鍵過程。我們研究了sr、Ti、O原子在真空中的優(yōu)先反應過程和形態(tài),計算研究了SrO、TiO2和SrTi
2、O3分子形成的反應機理,獲得了相應的中間體和過渡態(tài)及反應活化能。研究表明,SrO、TiO2、SrTiO3分子是LMBE外延生長SrTiO3薄膜初期的主要粒子形態(tài)。 當SrO、TiO2分子在真空中形成后,將沉積在基底SrTiO3(100)表面,在基底表面吸附生長。SrTiO3(100)表面有2種終止結構,分別為SrO層和TiO2層,我們分別表示為SrO-SrTiO3(100)和TiO2-SfriO3(100)表面。我們用DFT/G
3、GA方法優(yōu)化了表面,得到弛豫后穩(wěn)定的表面。在以上研究的基礎上,我們用從頭計算分子動力學方法分別模擬了SrO和TiO2分子在弛豫后的2種終止結構的SrTiO3(100)表面吸附過程。得到了SrO和TiO2分子在2種終止的SrTiO3(100)表面吸附過程中的運動軌跡及其在每個時刻的能量,并計算了相應階段的吸附能。 通過吸附能的大小,我們可以得出在TiO2-SrTiO3(100)表面SrO分子比TiO2分子優(yōu)先吸附生長;而在SrO-
4、SrTiO3(100)表面TiO2分子比SrO分子優(yōu)先吸附生長。如此就形成了SrO層與TiOz層交替循環(huán)層狀生長,與相關實驗研究一致。 同時我們分別運用Mulliken布居、前線軌道理論和態(tài)密度具體分析了SrO分子在TiO2-SrTiO3(100)表面的具體成鍵過程。結果與動力學研究一致,都表明為SrO分子中的Sr原子先與基片表層的O結合,然后SrO分子的O與基片表層的Ti結合,SrO分子中的Sr-O鍵斷裂。 我們用同樣
5、的方法分析了TiO2分子在SrO-SrTiO3(100)表面具體成鍵過程,結果與動力學研究一致,TiO2分子中的Ti原子與SrO-SrTiO3(100)表層的O原子先結合,然后TiO2分子中的O原子與SrO-SrTiO3(100)表層的sr原子產(chǎn)生微弱的化學作用。 從SrO分子在TiO2-SrTiO3(100)面和TiO2分子在SrO-SrTiO3(100)面的最終吸附構型可以看出,最終的吸附模型跟SrTiO3晶胞的部分結構很相
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