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1、一維半導(dǎo)體納米線以其獨(dú)特的物理化學(xué)性質(zhì)而引起大家的廣泛關(guān)注,在光信息儲(chǔ)存、電子傳感、發(fā)光顯示及單電子傳輸?shù)确矫婢哂袧撛趹?yīng)用前景,因此關(guān)于一維半導(dǎo)體納米線的制備及其電輸運(yùn)性能的研究已成為目前研究的熱點(diǎn)。 本論文主要進(jìn)行以下幾項(xiàng)工作: 在第二章中,在管式爐中用熱蒸發(fā)三氧化鎢納米粉末的方法制備出了單晶六方晶相的三氧化鎢納米線,并對(duì)此納米線的形貌、晶體結(jié)構(gòu)做了詳細(xì)的表征,對(duì)它的合成機(jī)理進(jìn)行分析。通過(guò)對(duì)三氧化鎢納米線合成條件的探索
2、,并找到高質(zhì)量單晶六方晶相的三氧化鎢納米線比較理想的合成條件。 在第三章中,首先用交流電場(chǎng)輔助組裝的方法通過(guò)控制合適的交流電壓和頻率,實(shí)現(xiàn)了單根WO<,3>納米線的組裝。對(duì)WO<,3>納米線的電輸運(yùn)性質(zhì)進(jìn)行了測(cè)量和分析,發(fā)現(xiàn)I-V曲線呈現(xiàn)出非線性的整流行為。對(duì)此進(jìn)行分析,形成這種整流行為的原因是WO<,3>納米線在電場(chǎng)組裝的過(guò)程中和電極間形成了不對(duì)稱(chēng)的接觸,從而引起納米線的兩端和電極間的接觸勢(shì)壘高低的不同。在紫外光的照射下,納米
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