近化學(xué)計(jì)量比鉭酸鋰晶體生長及相關(guān)準(zhǔn)相位匹配器件的研究.pdf

1、提出準(zhǔn)相位匹配的概念已經(jīng)有半個(gè)多世紀(jì),在這半個(gè)多世紀(jì)里人們?cè)谶@個(gè)課題上作了大量的工作,發(fā)表論文上千篇,無論從理論到實(shí)際的器件制作都進(jìn)行了比較深入的研究,但在實(shí)際應(yīng)用方面,尤其產(chǎn)品的商業(yè)化方面卻沒有大的進(jìn)展,這主要受限于制取光學(xué)超晶格(準(zhǔn)相位匹配材料)結(jié)構(gòu)的材料。過去人們制取這種結(jié)構(gòu)的材料主要集中在同成份的鉭酸鋰(CLT)、同成份的鈮酸鋰(CLN)、磷酸氧鈦鉀(KTP)等材料上。對(duì)于CLT、CLN這兩種材料存在的主要問題是有比較高的矯頑場(chǎng)

2、，只能制作通光面比較小的產(chǎn)品，另外這兩種材料的光損傷閾值都比較的低。對(duì)于KTP晶體，傳統(tǒng)的生長方法是助熔劑生長，這種晶體由于助熔劑離子的進(jìn)入引起了較大的電導(dǎo)率，而無法用外部電場(chǎng)極化。這幾年材料上主要的工作都集中在改進(jìn)這些材料本身的缺點(diǎn)上。生長化學(xué)計(jì)量比的鉭酸鋰和鈮酸鋰(SLT、SLN)就是改進(jìn)材料性能的主要方面，這種晶體損傷閾值大都提高了1-2個(gè)數(shù)量級(jí)，矯頑場(chǎng)下降1個(gè)數(shù)量級(jí)到2000V/mm左右，另外一個(gè)重要的改進(jìn)是用水溶液法生長KTP

3、晶體，保留KTP晶體原有的性能外，減小了電導(dǎo)率。在這兩方面都取得了大的進(jìn)展，都有成功的例子，但由于生長方法的原因，生長的晶體都過于昂貴，影響了產(chǎn)品的商業(yè)化應(yīng)用。本文就從尋找一種比較簡單實(shí)用的方法，生長成本比較低的化學(xué)計(jì)量比的LT晶體，來制作介電超晶格結(jié)構(gòu)，涉及的主要內(nèi)容有：
　　1）用助熔劑法生長化學(xué)計(jì)量比的LT晶體,解決大尺寸、組分均勻的化學(xué)計(jì)量比LT晶體的原料配比和生長，及晶體的后續(xù)處理方法。
　　2）從理論上探討了相位