多壁碳納米管修飾電極在流動注射不可逆雙安培法中的應用研究.pdf

1、本論文主要研究了碳納米管修飾電極的制備及其在流動注射不可逆雙安培法中的應用。具體的研究內(nèi)容如下：
　　 1．在N，N-二環(huán)已基碳酰亞胺（DCC）存在介質(zhì)下，通過酰氨鍵使羧基化的多壁碳納米管（MCNTs）與L-半胱氨酸（L-Cys）縮合，功能化的MCNTs通過S-Au鍵自組裝（SAMs）到金電極表面，制備了修飾電極（MCNTs-L-Cys-Au/SAMs-CME），并對電極的表面結構進行電化學表征。研究表明，該修飾電極對對乙酰氨基

2、酚的電化學氧化具有明顯的催化作用。同時，對其催化氧化的機理進行了初步探討。該氧化峰峰電流與對乙酰氨基酚濃度在2.0×10-6～2.0×10-4 mol·L-1和2.0x10-4～1.0×10-3 mol·L-1范圍內(nèi)呈良好的線性關系，其線性回歸方程分別為i（nA）=8.21×107 C+200（r=0.9984，n=9），i（nA）=2.30×107 C+1.00×104（r=0.9938，n=4），方法檢出限為1.0×10-6 mol

3、·L-1（S/N=3），電流值RSD為2.7％（n=20）。對對乙酰氨基酚片中的對乙酰氨基酚含量的測定，結果比較滿意。
　　 2．研究了雙氯芬酸鈉在殼聚糖（CS）/多壁碳納米管（MCNTs）修飾蠟浸石墨電極（GE）上的電化學行為及測定，并對其進行顯微表征。該修飾電極對雙氯芬酸鈉具有明顯的電催化氧化作用。該氧化峰峰電流與雙氯芬酸鈉濃度在8.0×10-7～2.0×104 mol·L-1范圍內(nèi)呈良好的線性關系，其線性回歸方程為i（nA

4、）=1.16×107C-14.8（r=0.9995， n=11），方法檢出限為2.0×10-7mol·L-1（S/N=3），電流值RSD為4.8％（n=20）。對雙氯芬酸鈉片中的雙氯芬酸鈉的含量的測定，結果比較滿意。
　　 3．以玻碳電極為基底成功制備了聚L-蘇氨酸poly（L-Threonine）/多壁碳納米管（MCNTs）修飾電極（p-L-Thr/MCNTs/GCE）。研究了鹽酸氯丙嗪在該修飾電極上的電化學行為。該修飾電極對

5、鹽酸氯丙嗪具有明顯的電催化氧化作用，并對其進行顯微表征。該氧化峰峰電流與鹽酸氯丙嗪濃度在2.0×10-6～4.0×10-5 mol·L-1和4.0×10-5～1.0×10-3 mol·L-1范圍內(nèi)呈良好的線性關系，其線性回歸方程為i（nA）=9.73×107C-50.0（r=0.9993，n=6）， i（nA）=2.33×107C+4.00×103（r=0.9984，n=7），方法檢出限為4.0×10-7mol·L-1（S/N=3），電

6、流值RSD為2.4％（n=20）。對鹽酸氯丙嗪片中的鹽酸氯丙嗪的含量的測定，結果比較滿意。
　　 4．在玻碳電極上成功的制備了多壁碳納米管（MCNTs）修飾玻碳電極（GCE）。研究表明，該修飾電極對Fe3+具有明顯的電催化還原作用，并對其進行顯微表征。該還原峰峰電流與Fe3+濃度在4.0×10-3～10×10-1 mg·mL-1范圍內(nèi)呈良好的線性關系，其線性回歸方程為 i（nA）=1.45×105C-583（r=0.9992，n