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文檔簡介
1、隨著科技的迅速發(fā)展,大面積顯示器、觸摸屏、薄膜太陽能電池等光電子器件開始朝向柔性化、超薄化方向發(fā)展,這使得柔性透明導(dǎo)電膜的需求日益增長?;阢y納米線(AgNWs)的柔性透明導(dǎo)電膜因具有良好的導(dǎo)電性、透光率以及可撓性成為目前的研究熱點。AgNWs作為導(dǎo)電材料,其形貌、尺度密切影響著透明導(dǎo)電膜的光電性能,而導(dǎo)電膜除了要求良好的導(dǎo)電性和透光性,具有優(yōu)良的機械性能是柔性透明導(dǎo)電膜實用化的關(guān)鍵。
本論文針對當(dāng)前透明導(dǎo)電膜對AgNWs的尺
2、度要求及膜的光電和耐彎折性等要求,開展不同尺度銀納米線的可控制備及高耐彎折、高導(dǎo)電性、高透光率的銀納米線透明導(dǎo)電膜的制備技術(shù)研究。采用X-射線衍射(XRD)、掃描電鏡(SEM)、紫外-可見光譜(UV-Vis)、四探針測試儀、原子力顯微鏡(AFM)等儀器對樣品進行了測試與表征。主要研究內(nèi)容與取得的結(jié)果如下:
通過改進一步液相多元醇法,在無添加晶種和控制劑的情況下,制備了平均直徑分別為60 nm和100nm,長度可達10~20μm
3、的AgNWs。研究了PVP與AgNO3的摩爾比、反應(yīng)時間、反應(yīng)溫度以及反應(yīng)物濃度等因素對AgNWs生長過程的影響,基本實現(xiàn)了AgNWs的可控制備。在多元醇法的基礎(chǔ)上探索了一種超細Ag NWs的制備方法,通過優(yōu)化控制劑KBr的投入時間和投入量,制備了平均直徑約為40nm,長度約15~20μm的超細AgNWs。并提出了超細AgNWs的生長機理,即KBr在反應(yīng)中充當(dāng)了中間緩釋劑的作用,通過控制Ag+的釋放速度,有利于AgNWs的各向異性生長。
4、
以制備的不同尺度AgNWs為導(dǎo)電材料,以PET作為基底,采用二步轉(zhuǎn)印法制備了AgNWs/PET柔性透明導(dǎo)電膜。考察了轉(zhuǎn)印壓力、AgNWs的直徑和長度以及AgNWs的密度對導(dǎo)電膜光電性能的影響。優(yōu)化條件下制備的AgNWs/PET透明導(dǎo)電膜,其方塊電阻為11.5Ω/,透光率可達93.5%,霧度為1.23%。并研究了二次壓制過程對導(dǎo)電膜微觀結(jié)構(gòu)、光電性能、粘附性以及耐彎折性能的影響。通過二次壓制,AgNWs之間及與PET基底形成了
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