納米磁性材料磁光和磁電阻特性的數(shù)值計(jì)算.pdf

1、本文采用數(shù)值計(jì)算的方法研究了納米磁性材料的磁光科爾效應(yīng)和磁電阻效應(yīng)。主要內(nèi)容安排如下：　　1.首先介紹磁光效應(yīng)的基本知識(shí)和測(cè)量裝置圖，特別介紹了磁光科爾效應(yīng)的三種機(jī)制和相應(yīng)的測(cè)量配置。然后介紹了磁電阻效應(yīng)的一些基本知識(shí)和研究背景，主要介紹了顆粒膜的巨磁電阻效應(yīng)。在第二章中重點(diǎn)介紹了4×4矩陣法和蒙特卡羅方法。　　2.其次，利用4×4矩陣法和界面等效層理論，引入界面效應(yīng)，模擬了(TbFeCo)100-xPrx磁性多層膜系統(tǒng)的磁光特性隨

2、入射角和磁性層厚度的變化以及混合界面層界面結(jié)構(gòu)變化的關(guān)系，發(fā)現(xiàn)界面結(jié)構(gòu)對(duì)結(jié)果有重要的影響?！　?.重點(diǎn)利用4×4矩陣法結(jié)合蒙特卡羅方法模擬顆粒膜的磁光科爾磁滯回線和磁電阻效應(yīng)，模擬的磁光效應(yīng)磁滯回線和巨磁電阻曲線與實(shí)驗(yàn)結(jié)果吻合的很好。　　首先，理論模擬VSM和MOKE效應(yīng)測(cè)得的NixSiO2(1-x)顆粒膜的磁滯回線。結(jié)果表明，一般在傾斜入射的情況下，用磁光科爾效應(yīng)測(cè)得的磁滯回線和用VSM測(cè)得的磁滯回線是有區(qū)別的，這種差別隨著入射角

3、的增大而增大；對(duì)于富Ni顆粒的強(qiáng)鐵磁性的薄膜，這種差別比弱磁性和復(fù)合磁性薄膜的要小?！　∑浯危?jì)算了CoxAg(1-x)顆粒膜的磁光科爾效應(yīng)和巨磁電阻效應(yīng)。模擬結(jié)果表明，各向異性作用和偶極相互作用對(duì)磁光科爾效應(yīng)和巨磁電阻效應(yīng)有顯著的影響；同時(shí)計(jì)算了CoxAg(1-x)顆粒膜的Kt，Kt在解釋磁性顆粒膜的巨磁電阻效應(yīng)有很大的幫助?！　?.最后，基于蒙特卡羅模擬和網(wǎng)格電阻模型，研究了二維各向異性納米顆粒點(diǎn)陣的隧道磁電阻效應(yīng)。模擬結(jié)果表明