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文檔簡介
1、采用磁過濾真空濺射離子沉積系統(tǒng)制備含氫的非晶碳(a-C:H)薄膜,研究襯底偏壓、微結構與其血液相容性的關系,以及退火對其性能的影響。c采用磁過濾真空離子濺射沉積系統(tǒng),制備氫化非晶碳(a-C:H)薄膜,通過調節(jié)襯底偏壓,改變沉積離子的能量,從而改變薄膜的微結構,得到sp3/sp2C比例不同的薄膜。然后選擇sp3C含量最高的-20V樣品進行不同溫度和時間的退火處理,以便研究襯底偏壓和退火處理對薄膜微結構和血液相容性的影響。 a-C:
2、H薄膜的微結構和sp2、sp3含量分別通過紫外-可見吸收光譜(UV)、拉曼光譜(Raman)和電子能量損失譜(EELS)作定性和定量分析。血液相容性通過動態(tài)凝血實驗、血小板粘附實驗、凝血酶原時間測定實驗進行評估。實驗結果表明,襯底偏壓是決定a-C:H薄膜中sp2、sp3含量的關鍵因素,也同樣影響著薄膜的血液相容性。-20V偏壓下制備的薄膜中sp3含量最高,血液相容性也最好。 退火對a-C:H薄膜性能的影響是通過紫外-可見吸收光譜
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