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1、近年來,由于現(xiàn)有半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的技術(shù)缺陷和其物理極限的限制,開發(fā)各種新型非揮發(fā)性存儲(chǔ)器成為全球研究熱點(diǎn)。其中,電致阻變存儲(chǔ)器(RRAM)因具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、單元面積小、低功耗及非揮發(fā)性等優(yōu)點(diǎn),成為該領(lǐng)域的研發(fā)重點(diǎn)。ZnO基薄膜因具有良好的光學(xué)和阻變性能,成為制備透明阻變器件的重要材料之一。
本文采用溶膠-凝膠(Sol-gel)工藝在氧化銦錫(ITO)玻璃襯底上制備ZnO、Mg摻雜ZnO和ZnMnO3阻變薄膜及阻變電容。系統(tǒng)研究了退火
2、溫度、旋涂層數(shù)、溶膠濃度及摻雜對(duì)ZnO薄膜晶相結(jié)構(gòu)、表面形貌、阻變性能和疲勞特性的影響,并探討了阻變和導(dǎo)電機(jī)制。
結(jié)果表明:在350℃~520℃內(nèi),ZnO薄膜表面平整,且較為致密,無明顯缺陷;退火溫度對(duì)阻變性能和疲勞特性都會(huì)產(chǎn)生影響,退火溫度為350℃的Ag/ZnO/ITO阻變電容具有最大無疲勞循環(huán)次數(shù)和最小的Vreset和Vset,并具有較高的RHRS/RLRS;隨著鍍膜層數(shù)的增加,Ag/ZnO/ITO阻變電容的無疲勞循環(huán)次
3、數(shù)有所增多,但RHRS/RLRS、RHRS和Vset卻逐漸減??;隨Mg摻雜 ZnO(MZO)溶膠濃度的升高,Ag/MZO/ITO阻變電容的Vreset和Vset隨之升高,但RHRS/RLRS卻有所下降;隨著Mg摻雜量的增加,MZO薄膜(002)衍射峰向大角度偏移,表面平整性降低,Ag/MZO/ITO阻變電容的RHRS/RLRS、RHRS和Vset隨Mg摻雜量的增加而增大,然而無疲勞循環(huán)次數(shù)卻隨Mg摻雜量的增加而下降;通過LogI-Log
4、U特性及其擬合曲線分析可知,ZnO及其摻雜阻變薄膜在LRS時(shí),導(dǎo)電機(jī)制主要為歐姆傳導(dǎo);HRS時(shí),高、低電壓區(qū)域電壓與電流的變化關(guān)系不同,在低電壓區(qū)主要遵循歐姆傳導(dǎo),高電壓區(qū)域電流與電壓的二次方成正比,符合SCLC理論電流與電壓的關(guān)系,HRS高電壓區(qū)域的導(dǎo)電機(jī)制以SCLC效應(yīng)為主導(dǎo)。
退火溫度對(duì)ZnMnO3薄膜結(jié)構(gòu)和阻變性能的研究表明:隨退火溫度的增加,ZnMnO3薄膜的晶粒尺寸增大,晶界減少,致密度和質(zhì)量得到進(jìn)一步提高,進(jìn)而使
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