紅熒烯分子在半金屬表面的生長(zhǎng).pdf

1、隨著納米科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，對(duì)納米結(jié)構(gòu)的表征變得極為重要。掃描隧道顯微鏡不但可以提供實(shí)空間的原子分辨，人們還可以利用它的掃描隧道譜功能對(duì)費(fèi)米能級(jí)附近局域電子態(tài)密度進(jìn)行測(cè)量，因此已經(jīng)成為納米科技領(lǐng)域一個(gè)重要的研究手段。在本論文中，我們利用掃描隧道顯微鏡(STM)和掃描隧道譜(STS)研究了紅熒烯分子在半金屬表面的形貌特征和生長(zhǎng)方式。論文取得的主要成果如下：
　　 (1)在紅熒烯薄膜中我們發(fā)現(xiàn)了一類新的相變：分子從高階的公度相轉(zhuǎn)變到弱的

2、非公度相。前者呈現(xiàn)出point-on-line關(guān)系；后者是一種混合相，包含紅熒烯的晶態(tài)疇和自組裝的疇壁。相比于紅熒烯晶體的a-b面，晶態(tài)疇中存在著極大的各向異性應(yīng)變。通過(guò)改變襯底的溫度，我們發(fā)現(xiàn)：在室溫下疇壁呈現(xiàn)出“之”字形網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)；而在高溫下轉(zhuǎn)變?yōu)闂l狀結(jié)構(gòu)。
　　 (2)隨著覆蓋度的增加，紅熒烯薄膜會(huì)按照逐層生長(zhǎng)的模式進(jìn)行，直至第四個(gè)分子單層。我們認(rèn)為，轉(zhuǎn)動(dòng)外延過(guò)程中所產(chǎn)生的巨大壓縮應(yīng)力是導(dǎo)致晶態(tài)紅熒烯薄膜的形成原因。接下來(lái)我