糾纏基礎上的量子光刻和量子態(tài)制備.pdf

1、現(xiàn)代工業(yè)的發(fā)展使得人們需要越來越小的集成電路塊,因而就要提高印刷術,來獲得更小的像素,更大的分辨力.光刻(又稱光學制版)技術就是適應這一需要產(chǎn)生的.該文研究了用不同量子態(tài)的光進行光刻的情況,并對量子態(tài)的制備進行了初步的探討,得出了一些有意義的結(jié)論.第一章簡要介紹了經(jīng)典光刻和量子光刻的基本理論以及最近關于量子光刻的主要成果,為以下幾章的研究工作奠定理論基礎.并指出:一般的量子光刻法可以獲得N倍于經(jīng)典光刻方法的分辨力.第二章介紹了我們提出的

2、光刻方法,即:N-光子非最大糾纏態(tài)(NMES態(tài))的量子光刻方法.有如下幾個創(chuàng)新點:1.把最大糾纏態(tài)的光刻方法推廣到非最大糾纏態(tài);2.提出了兩入射光量子態(tài)的局域糾纏和非局域糾纏的概念;3.發(fā)現(xiàn)增加兩入射光的非局域糾纏度可以增加曝光函數(shù)的幅度,因而改變兩入射光的非局域糾纏度可以操縱和控制曝光率的振幅;4.發(fā)現(xiàn)兩入射光的局域糾纏能提高量子光刻的有效瑞利分辨力到λ/8N,為經(jīng)典光刻方法分辨力的2N倍.從而可以在相同的表面上成像4N<'2>倍經(jīng)典

3、所能成像的像素,使芯片大小減為原來的1/4N<'2>.因而是對量子光刻術的一個很大改進.5.成功地實現(xiàn)了正弦斑圖量子模擬,從而使制版彎曲的電路成為可能.第三章我們研究了利用糾纏相干態(tài)的量子光刻方法.計算了感光膠質(zhì)在雙模糾纏相干態(tài)中的曝光率,發(fā)現(xiàn)增加相干態(tài)的幅度或感光膠質(zhì)的多光子吸收特性能夠提高感光膠質(zhì)的曝光率和曝光圖案的對比度.值得一提的是這種態(tài)的制備相對來說較容易,因而具有更大的潛在價值.第四章我們對態(tài)的制備方案作了一些研究,并提出只