硒化銀材料的磁性離子摻雜改性及磁性研究.pdf

1、銀硫族兩相化合物Ag2Se和Ag2Te是多功能的材料，其中高溫α相為超快離子導體，低溫β相是窄帶隙非磁性的半導體和重要的熱致色變材料。常規(guī)下，低溫相Ag2Se和 Ag2Te磁電阻(MR)效應很微弱，然而，只要稍微改變一下兩元素的化學計量比，Ag2+δSe及Ag2+δTe（δ是過量或者不足的銀的量）表現(xiàn)出顯著的正線性磁電阻（MR）效應，且線性磁電阻效應在近百特斯拉脈沖磁場下未達到飽和。對于此種現(xiàn)象，Abrikosov在基于金屬銀團簇引起的

2、窄帶隙線性能譜的假設基礎上，提出了量子磁電阻效應。Parish等人則認為，過量的金屬離子Ag改變了載流子遷移率的空間分布，當載流子平均遷移率為0時，材料呈現(xiàn)異常的MR效應。Zhang等人利用第一性原理，從理論上推測出銀硫族化合物可能是一種拓撲絕緣體，其正線性 MR效應可能來自于高度各向異性表面態(tài)。
　　由于之前本課題組余等人通過溶劑熱（乙二胺或者二乙胺）法制備出了磁性離子Co摻雜Ag2Se納米顆粒，以及Ni摻雜Ag2Se，并且這兩

3、系列摻雜材料都表現(xiàn)出較為理想的鐵磁性，本文主要繼續(xù)本課題組的工作，希望通過簡單安全的水熱法制備磁性離子Fe、Ni、Co摻雜的Ag2Se并研究其磁性。
　　在本文的研究中，我們首次通過簡單可行的水熱法合成Co摻雜Ag2Se納米棒和Ni摻雜Ag2Se納米顆粒體系。通過調節(jié)NaOH的濃度來控制納米棒和納米顆粒的大?。煌ㄟ^改變Ag與CoCl2·6H2O（NiCl2·6H2O）的比例來調節(jié)Ag2Se晶格中Co（Ni）的摻入量。最終確定最佳實

4、驗方案，即，NaOH濃度為0.9mol/l和1.0mol/l，Ag與Co（Ni）的比例為9:1和8:2時，制備出的樣品最好。
　　對所得系列樣品進行一些列的性能表征，包括XRD、XRF、SEM、XPS、UV-Vis和TG-DTA等。UV-Vis測試揭示Co摻雜Ag2Se材料是窄帶隙半導體。對晶相最純的樣品進行成分分析以及在500 Oe磁場下測量其零場冷卻（ZFC）和場冷卻（FC）磁化強度與溫度的關系。在Co摻雜Ag2Se納米棒系列

5、中，純相樣品的Co摻雜固溶極限高達26.62％。XPS結果表明，Co元素主要以Co2+離子形態(tài)替位摻雜于Ag2Se主晶格中。用0.8M NaOH（NaOH濃度為0.8mol/l）制備出的Co摻雜Ag2Se納米棒，在2.92K時樣品的磁化強度高達0.01594μB·Co-1。并且隨著NaOH濃度的增加，磁化強度逐漸減小。隨著溫度的降低，所有的樣品都經歷了磁性相變。水熱法制備的Ni摻雜Ag2Se都是納米顆粒,但是樣品中含有少量NiSe2以及