富銀硒化銀系列材料的制備工藝及磁電阻性能研究.pdf

1、華中科技大學(xué)碩士學(xué)位論文富銀硒化銀系列材料的制備工藝及磁電阻性能研究姓名：熊雙濤申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：碩士專業(yè)：凝聚態(tài)物理指導(dǎo)教師：楊鳳霞201012華中科技大學(xué)碩士學(xué)位論文華中科技大學(xué)碩士學(xué)位論文II微粒逐漸轉(zhuǎn)化為納米級(jí)的團(tuán)聚物，分布也不是無(wú)序的，而略顯規(guī)則的鏈狀排列鑲嵌在硒化銀晶界處。（3）最后，研究系列不同過(guò)量銀硒化銀晶體的磁電阻效應(yīng)。結(jié)果表明，非化學(xué)計(jì)量比硒化銀晶體阻溫特性具有典型的窄帶半導(dǎo)體的阻溫特性。在超強(qiáng)磁場(chǎng)下，系列樣品的磁電阻首

2、先隨著磁場(chǎng)強(qiáng)度的增加而平方增加，當(dāng)達(dá)到某一臨界磁場(chǎng)，表現(xiàn)出一種線性依賴關(guān)系，而這種線性依賴關(guān)系在62T時(shí)，仍未出現(xiàn)變化。臨界磁場(chǎng)隨著銀含量而變化，一般在（3T—4T）之間。在一些摻雜的樣品中發(fā)現(xiàn)了更奇特的性質(zhì)，此系列樣品未發(fā)現(xiàn)有臨界磁場(chǎng)，磁電阻與磁場(chǎng)始終保持線性依賴關(guān)系。目前，在62T的超強(qiáng)磁場(chǎng)中，所以樣品的磁電阻仍然未表現(xiàn)出任何飽和的趨勢(shì)。此外，實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，隨著銀含量的增加（δ0.4），樣品的磁電阻效應(yīng)先增大后隨著銀含量的增加又開(kāi)始減小