界面修飾提升有機(jī)場效應(yīng)管光電性能研究.pdf

1、有機(jī)場效應(yīng)晶體管（organic field-effect transistor，OFET）具有輕質(zhì)、柔性、大面積制備以及成本較低等優(yōu)點(diǎn)，已經(jīng)吸引了廣泛的關(guān)注。此外，由于有機(jī)半導(dǎo)體的光譜可調(diào)性和長的光載流子壽命，使得OFET器件在先進(jìn)的光電轉(zhuǎn)換應(yīng)用方面極具魅力。提升OFET光電特性和工作壽命的方法，除了選用合適的有機(jī)半導(dǎo)體材料和創(chuàng)新的器件結(jié)構(gòu)外，界面修飾也是一個關(guān)鍵的因素。
　　本論文首先綜述了OFET近幾十年的研究進(jìn)展、應(yīng)用領(lǐng)域

2、、研究現(xiàn)狀以及目前所面臨的挑戰(zhàn)等。然后介紹了OFET的基本結(jié)構(gòu)、工作原理、制備材料及工藝和性能參數(shù)等。針對OFET目前光電性能較低、穩(wěn)定性較差的問題，本論文的工作主要圍繞界面修飾提升OFET光電性能和穩(wěn)定性研究展開。具體工作如下：
　?。?）通過在載流子傳輸界面（SiO2/C60）引入PVA和OTS，使得C60活性薄膜的晶粒更大，晶界更少。另一方面，在載流子注入界面（Al/C60）引入BCP，使注入界面產(chǎn)生一個輔助電子注入的中間帶

3、隙機(jī)制。通過以上研究表明，界面修飾提升了C60薄膜結(jié)晶性，同時降低了電子注入勢壘，從而增大了OFET的載流子遷移率和開關(guān)電流比，減小了亞閾值擺幅，并且顯著提高了器件的光響應(yīng)度和外量子效率等。經(jīng)過協(xié)同界面修飾的OFET在50V柵壓下，獲得的最大遷移率和最高光響應(yīng)度分別達(dá)到0.31cm2V-1s-1和234A/W，這一指標(biāo)甚至高于目前商業(yè)應(yīng)用的氮化鎵紫外光敏二極管（GUVA-S12SD）。同時也提升了器件的空氣穩(wěn)定性。
　?。?）我們