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文檔簡(jiǎn)介
1、光刻工藝的變革是引起半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的重要因素,隨著傳統(tǒng)干式光刻過渡到浸沒式光刻,集成電路特征尺寸已經(jīng)突破了45nm。浸沒式光刻和傳統(tǒng)干式光刻的主要區(qū)別在于物鏡與硅片之間填充了一層高折射率的浸沒液,這層浸沒液就是本文需要研制的超純水。半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)以可溶性硅、電阻率、TOC、溶氧及細(xì)菌為關(guān)鍵性指標(biāo)來對(duì)超純水水質(zhì)進(jìn)行表征。超純水制備技術(shù)從最初的物理蒸餾法發(fā)展到了如今以反滲透+電去離子技術(shù)相結(jié)合的先進(jìn)制備工藝藝術(shù)。除此之外,隨著技術(shù)的更新與發(fā)展,
2、超純水也被應(yīng)用于各行各業(yè),因此,市場(chǎng)前景廣闊,發(fā)展空間巨大。但是,目前國(guó)內(nèi)浸沒式超純水處理系統(tǒng)的工藝與美國(guó)等發(fā)達(dá)國(guó)家相比還有較大差距,研制符合浸沒式光刻技術(shù)要求的超純水處理系統(tǒng)具有重要的現(xiàn)實(shí)意義。
本文以設(shè)備需求方對(duì)新一代超純水處理系統(tǒng)提出的性能指標(biāo)和功能指標(biāo)為目標(biāo),設(shè)計(jì)了符合要求的超純水處理系統(tǒng),主要的工作包括以下內(nèi)容。
(1)工藝設(shè)計(jì)。通過對(duì)系統(tǒng)需求的分析,確定了符合要求的超純水處理系統(tǒng)總體設(shè)計(jì)方案,明確了電阻率
3、、溶解氧和TOC值為系統(tǒng)的關(guān)鍵性參數(shù),進(jìn)而通過理論分析、數(shù)學(xué)計(jì)算以及實(shí)驗(yàn)測(cè)試,驗(yàn)證了指標(biāo)的合理性。最后,對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行了動(dòng)力學(xué)分析,完成了純水泵工作點(diǎn)的選擇。同時(shí),對(duì)相關(guān)元器件進(jìn)行了選型及采購(gòu)。
(2)自動(dòng)控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)。在工藝原理流程圖的基礎(chǔ)上,完成了以西門子PLC為下位機(jī),工控機(jī)為上位機(jī)的自動(dòng)控制系統(tǒng)。設(shè)計(jì)了能夠?qū)鞲衅鲾?shù)據(jù)進(jìn)行實(shí)時(shí)采集同時(shí)能夠控制系統(tǒng)參數(shù)的PLC程序。使用C#編寫了友好的系統(tǒng)界面程序、通信程序和包含用戶信息、系
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