強(qiáng)相互作用區(qū)He原子的多電子過程.pdf

1、本工作在蘭州大學(xué)2×1.7MY串列加速器上利用0.2MeV～5.8MeV的C<'q+>、O<'q+>(q=1、2、3)入射離子與He原子進(jìn)行碰撞，對(duì)碰撞中的多重電離過程進(jìn)行了研究。實(shí)驗(yàn)上采用反沖離子一散射離子飛行時(shí)間符合技術(shù)、位置靈敏探測(cè)技術(shù)及多參數(shù)獲取系統(tǒng)得到散射離子與反沖離子電荷態(tài)的二維符合譜，從而得到不同入射離子的單雙電離截面比的隨入射離子能量變化的曲線。 實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，對(duì)于直接電離過程和轉(zhuǎn)移電離過程，單雙截面比的實(shí)驗(yàn)值有

2、下列幾個(gè)共同的特點(diǎn)：(1)當(dāng)入射離子能量開始大于幾十個(gè)keV/amu時(shí)，單雙電離截面比隨著入射離子能量的增加而迅速增加。(2)當(dāng)入射離子能量大約為200～300keV/amu時(shí)，單雙電離截面比達(dá)到最大值。(3)過了最大值之后，隨著入射離子能量繼續(xù)增加，單雙電離截面比緩慢下降。 在理論上，從只考慮電子俘獲過程的Bohr經(jīng)典過壘模型出發(fā)，考慮電子從分子態(tài)的直接電離問題，把中低能區(qū)的俘獲和電離放在一個(gè)框架內(nèi)考慮。理論計(jì)算結(jié)果比較好的說