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1、光學(xué)薄膜作為納米材料的一種,受到廣大研究和應(yīng)用者的關(guān)注,已經(jīng)廣泛應(yīng)用于顯示器、太陽(yáng)能電池、光通訊以及激光器件等諸多領(lǐng)域。Ta<,2>O<,5>薄膜的制備工藝、介電性能、光學(xué)性能等也是國(guó)內(nèi)外研究者關(guān)注的熱點(diǎn)。制備工藝、后處理工藝和生長(zhǎng)方式對(duì)薄膜的結(jié)構(gòu)和各種性能有至關(guān)重要的影響,離子束作用于薄膜生長(zhǎng),打破了熱蒸發(fā)時(shí)的生長(zhǎng)模式,變得更為復(fù)雜。 本文采用有無(wú)離子源輔助電子柬蒸發(fā)兩種工藝制備了Ta<,2>O<,5>薄膜,研究了制備工藝對(duì)T
2、a<,2>O<,5>薄膜性能的影響。結(jié)果表明無(wú)離子源輔助電子束蒸發(fā)加工轉(zhuǎn)工藝下制備的薄膜厚度均勻性很好,而離子束的引入一定程度上破壞了這種穩(wěn)定性;用XRD、XPS技術(shù)分析了膜料及Ta<,2>O<,5>薄膜的相結(jié)構(gòu)和成分,結(jié)果表明膜料預(yù)熔后的主要成分還是Ta<,2>O<,5>,具有很好的穩(wěn)定性,制備的薄膜為非晶態(tài),O/Ta比為2.69;用UV755B、U-4100型分光光度計(jì)測(cè)試了薄膜的透射光譜,計(jì)算得薄膜的折射率,并以此分析了本底真空、
3、離子束輔助等工藝參數(shù)對(duì)薄膜光學(xué)性能的影響,實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明高本底真空或引入離子束都可以提高。Ta<,2>O<,5>薄膜的折射率。用AFM表征了有離子源電子束蒸發(fā)制備薄膜的表面形貌、粗糙度、相位信息,分析認(rèn)為此工藝下Ta<,2>O<,5>薄膜為島狀模式生長(zhǎng),不同厚度薄膜表面粗糙度變化不大。 本文還系統(tǒng)研究了退火工藝對(duì)Ta<,2>O<,5>薄膜性能的影響,分別選取有無(wú)離子源輔助電子束蒸發(fā)制備的薄膜試樣,研究了退火溫度(300℃、400℃
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