CdS、ZnS及SiO-,2-包裹納米球γ—射線輻射法制備.pdf

1、半導體納米材料由于其獨特的物理化學性質(zhì)以及潛在的應(yīng)用價值而成為了當今基礎(chǔ)研究與應(yīng)用研究的熱點之一。γ-射線輻射法是制備無機納米材料簡單而有效的一種方法。本研究將電離輻射技術(shù)應(yīng)用于半導體納米材料制備技術(shù)中，研究不同體系與條件下，γ-射線輻射法對半導體納米材料的可控行為，發(fā)展和優(yōu)化半導體納米材料制備新方法。利用60Coγ-射線輻射技術(shù)，常溫常壓下成功地制備了半導體硫化物(ZnS、CdS)納米球，然后將其表面包裹了不同厚度的SiO2薄膜；并初

2、步探討了納米球形成的可能機理和影響因素。相關(guān)實驗是應(yīng)用輻射化學新體系研究的有益探索與嘗試，為未來相關(guān)合成提供一定的指導與參考。其主要內(nèi)容可歸納如下幾點： 1.利用γ-射線輻射法，以水溶性高分子PVP為助劑，簡單一步過程獲得了半導體化合物ZnS納米球，其直徑大小為100nm左右。通過改變反應(yīng)濃度、吸收劑量、壓強等反應(yīng)條件，以ZnSO4和Na2S2O3為原料，逐漸摸索出一種制備單分散性好、尺寸可控納米球的方法。并在此基礎(chǔ)上，進一步討

3、論了形成ZnS納米球的可能機理。同時，用X-射線衍射(XRD)、TEM、SEM等實驗手段對其結(jié)構(gòu)進行了表征。 2.通過控制合適的反應(yīng)條件，利用γ-射線輻照CdCl2和Na2S2O3溶液體系成功合成了CdS納米球，直徑大小為60nm左右；且得到的產(chǎn)物分散性、均勻性都很好。與ZnS納米球制備條件相比，反應(yīng)條件更易于控制，這可能與CdS本身的物性有關(guān)。 3.在堿性條件下，利用正硅酸乙酯(TEOS)可水解產(chǎn)生SiO2的特性，進而