碲納米線的電輸運性能研究.pdf

1、碲，是一種重要的半導(dǎo)體材料，其禁帶寬度為0.34 ev。碲的化合物納米材料是非常重要的半導(dǎo)體光電材料，具有很優(yōu)異的物理和化學性質(zhì)，在半導(dǎo)體納米器件和生物醫(yī)學領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用前景。本文選取碲納米線為研究對象，研究碲納米線的電輸運性能和光電特性。本文的主要研究工作如下:
　　1.本文采用水熱法合成了具有分散性良好、純度高、結(jié)晶性好的單根Te納米線，直徑約為80 nm-200 nm。利用XRD和SEM分析手段對合成的碲納米線進行表征，結(jié)

2、果表明XRD圖顯示的最強峰[101]是碲納米線的生長方向。
　　2.采用深紫外曝光接觸式光刻技術(shù)和金屬剝離技術(shù)，構(gòu)筑了基于單根Te納米線的“金屬/Te納米線/金屬”型半導(dǎo)體納米器件。
　　3.在室溫下，測試了Te納米線半導(dǎo)體器件分別在空氣和真空中的電輸運性能，結(jié)果表明金屬電極和碲納米線具有良好的歐姆接觸。通過分析Te納米器件的場效應(yīng)特性曲線，發(fā)現(xiàn)漏電流Ids隨著柵壓Vgs的下降而減小，表明Te納米器件是一個典型的P型半導(dǎo)體。

3、實驗還發(fā)現(xiàn)，空穴載流子的遷移率達到了750 cm2v-1s-1。隨著相對濕度的增加，吸附在碲納米線的表面的水分子數(shù)目增加，因此碲納米線表面被水吸附的電子數(shù)也會相應(yīng)增加，引起納米線的表面電勢降低，吸引更多的空穴到表面層。此種現(xiàn)象也會導(dǎo)致碲納米線本身的電導(dǎo)增加。
　　4.在不同波長的光照射下，發(fā)現(xiàn)Te納米線具有負光電導(dǎo)現(xiàn)象。光生電子會吸附在納米線的表面，并與其內(nèi)部的空穴載流子復(fù)合，導(dǎo)致碲納米線內(nèi)部的空穴載流子濃度降低，故碲納米線內(nèi)部的