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1、鈣鈦礦結(jié)構(gòu)錳氧化物材料因在宏觀上表現(xiàn)出龐磁電阻效應(yīng)而受到學(xué)界廣泛關(guān)注。在實(shí)驗(yàn)上主要通過摻雜或復(fù)合改善鈣鈦礦錳氧化物母體性質(zhì),以獲得具有更廣泛應(yīng)用前景的磁電阻材料。拓?fù)浣^緣體材料是如今研究的熱點(diǎn)之一,并且具有特殊的磁電耦合性質(zhì),基于是否可通過與鈣鈦礦錳氧化物復(fù)合而對(duì)其界面效應(yīng)產(chǎn)生影響的興趣,本文研究了La2/3Ca1/3MnO3/Bi2Te3復(fù)合材料的電輸運(yùn)性質(zhì)。另一方面有關(guān)La2/3Ca1/3MnO3(LCMO)熒光效應(yīng)的研究較少,因此
2、同時(shí)探究了La2/3Ca1/3MnO3功能化后的熒光效應(yīng)。主要工作如下:
(1)采用溶膠-凝膠法制備La2/3Ca1/3MnO3納米顆粒,利用固相反應(yīng)法制備Bi2Te3單晶塊材,兩種材料均成相良好,純凈無雜相。并成功制備出不同體積比復(fù)合材料(1-x)La2/3Ca1/3MnO3/xBi2Te3以及功能化納米材料C-LCMO。
(2)通過改變Bi2Te3體積比,探究Bi2Te3含量對(duì)復(fù)合體系電磁輸運(yùn)性質(zhì)的影響。研究結(jié)果
3、表明,隨著Bi2Te3含量的增加,復(fù)合材料的TMI向低溫移動(dòng),電阻率先急劇增大后減小,低溫下復(fù)合樣品的磁電阻值也相應(yīng)增加。Bi2Te3含量20%時(shí)復(fù)合體系低溫電阻率增大三個(gè)數(shù)量級(jí),并且5T下磁電阻值由純LCMO的-81%提高至-270%。x=0.2的樣品電阻率急劇上升可能與滲流域附近電子散射效應(yīng)增強(qiáng)、晶界處自旋無序狀態(tài)增加以及兩相物質(zhì)表面接觸情況有關(guān)。
(3)通過制備功能化LCMO探究晶粒尺寸、Ca2+離子摻雜對(duì)LCMO熒光效
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