電子關(guān)聯(lián)效應(yīng)對(duì)T型雙量子點(diǎn)系統(tǒng)的Kondo效應(yīng)的影響.pdf

1、隨著納米制備技術(shù)的發(fā)展和信息技術(shù)的需求，人們迫切希望研制出尺寸小、可靠性高的高度集成化量子器件，然而尺寸的減小將帶來(lái)一系列的邊界效應(yīng)問(wèn)題和量子效應(yīng)問(wèn)題。因此，為了研制出按量子力學(xué)原理工作的電子器件，人們把量子點(diǎn)系統(tǒng)的kondo效應(yīng)及其對(duì)介觀系統(tǒng)輸運(yùn)性質(zhì)的影響作為凝聚態(tài)物理中最重要的課題之一。目前，人們做了大量的工作去研究與鐵磁電極相連的T-DQD系統(tǒng)，其特殊的不對(duì)等結(jié)構(gòu)顯示出一些有趣的現(xiàn)象:電子可分別通過(guò)中心量子點(diǎn)和邊耦合量子點(diǎn)，因此我

2、們可以把該模型作為理想的雙雜質(zhì)系統(tǒng)去研究強(qiáng)關(guān)聯(lián)效應(yīng)。前人的研究只涉及了量子點(diǎn)內(nèi)（忽略了點(diǎn)間）的庫(kù)侖排斥作用對(duì)電子輸運(yùn)的影響和電子的自旋極化運(yùn)輸，因此我們有必要去研究量子點(diǎn)間的庫(kù)侖作用、耦合強(qiáng)度等關(guān)聯(lián)效應(yīng)對(duì)電子態(tài)密度的影響。本文通過(guò)雙雜質(zhì)Anderson模型的哈密頓，利用隸玻色平均場(chǎng)技巧和運(yùn)動(dòng)方程方法求解了哈密頓，進(jìn)而得出了量子點(diǎn)中電子的態(tài)密度和透射幾率。通過(guò)比較不同參數(shù)下的圖像，來(lái)討論庫(kù)侖排斥作用等關(guān)聯(lián)效應(yīng)對(duì)kondo效應(yīng)的影響。研究結(jié)

3、果表明:(1)庫(kù)侖排斥作用U極大地影響了電子的態(tài)密度。在對(duì)稱情況下，隨U的增大，kondo共振峰的寬度變窄了，說(shuō)明庫(kù)侖排斥作用壓制了kondo共振。這是因?yàn)樵谳^大的庫(kù)侖相互作用下，電子的雙占據(jù)情況被破壞了，從而阻礙了電子的隧穿，這是間接庫(kù)侖阻塞。而在非對(duì)稱情況下，當(dāng)U＜1.5時(shí)，態(tài)密度的峰寬隨U的增大發(fā)生明顯的變窄，之后隨著U的繼續(xù)增大，共振峰的峰寬竟然變寬了，這是一種特殊的變化。(2)當(dāng)點(diǎn)間庫(kù)侖作用U=0時(shí)，kondo共振峰的寬度隨邊

4、耦合量子點(diǎn)的能級(jí)E20的增加變窄了，說(shuō)明邊耦合量子點(diǎn)的能級(jí)壓制了kondo共振。而在U=1.5的情況下，當(dāng)E20＜-2.0時(shí)共振峰的寬度隨E20的增加變窄了，之后隨著E20的繼續(xù)增大卻變寬了，這也是一種特殊的變化。(3)量子點(diǎn)間的耦合強(qiáng)度tab在弱耦合區(qū)時(shí)對(duì)kondo效應(yīng)的影響不大，進(jìn)入到強(qiáng)耦合區(qū)后對(duì)kondo共振有較大的影響，表現(xiàn)為kondo共振峰的寬度隨tab的增大變窄了，壓制了kondo共振。(4)偏壓eV使kondo共振峰的峰值