熱絲輔助MWECR—CVD制備器件級非晶硅薄膜.pdf

1、氫化非晶硅薄膜(a-Si：H)是近二十年來發(fā)展起來的一種新型功能材料，在新能源和信息顯示等高科技技術(shù)領(lǐng)域起著日益重要的作用，尤其是在光伏發(fā)電領(lǐng)域，越來越受到各國的重視。然而，目前非晶硅薄膜的制備存在著薄膜沉積速率低、薄膜的均勻性不高以及薄膜的光敏性較低等問題，尤其是薄膜的光致衰退變化效應(yīng)(SWE)，嚴重的限制了它的進一步應(yīng)用。因此，制備器件級的非晶硅薄膜成為氫化非晶硅進一步應(yīng)用的關(guān)鍵。 本文中，我們利用熱絲輔助微波電子回旋共振化

2、學(xué)氣相沉積(MWECR-CVD)系統(tǒng)制備了氫化非晶硅薄膜，并且針對薄膜的沉積速率、均勻性、光敏性、光致衰退等方面進行了研究。 對于薄膜的沉積速率的研究，前面小組成員加入了永磁體，從而顯著提高了薄膜的沉積速率，我們又討論了工作氣壓、熱絲溫度、襯底溫度對沉積速率的影響，得到了與較高薄膜沉積速率相對應(yīng)的參數(shù)；接著，分析了熱絲和永磁體對薄膜的均勻性的影響。 a-Si：H薄膜中的氫和薄膜的光電性能有著密切的關(guān)系，因此對薄膜的光敏性

3、和光致衰退變化的研究，我們從討論薄膜中的氫含量開始。 首先，我們討論了有無熱絲對薄膜中的氫含量以及對薄膜中的彎曲模和伸縮模的影響；接著，我們又對不同的熱絲溫度對薄膜的氫含量以及微結(jié)構(gòu)的影響。最后，我們討論了熱絲對薄膜的光致衰退變化的影響以及與之對應(yīng)的薄膜的微結(jié)構(gòu)的變化。 實驗表明，永磁體對薄膜的均勻性帶來了不利的影響，采用熱絲輔助，提高了薄膜的均勻性，大大降低了a-Si：H薄膜中的氫含量，改善了薄膜的微結(jié)構(gòu)，適當溫度的熱