合金靶材濺射鈷硅薄膜的非晶晶化及織構(gòu)特征.pdf

1、利用射頻磁控濺射方法制備了具有CoSi2成分的非晶薄膜。分析測試表明，薄膜中元素分布均勻，與靶材成分基本吻合。利用X射線衍射儀（XRD）、差示掃描量熱儀（DSC）結(jié)合掃描電鏡（SEM）能譜分析設(shè)備(EDXA) 分析了非晶CoSi2薄膜的晶化和相變過程，結(jié)果顯示濺射態(tài)薄膜為非晶態(tài)，薄膜晶化后首先析出CoSi相，隨著加熱溫度的升高，最終轉(zhuǎn)變?yōu)镃oSi2結(jié)構(gòu)。 通過計(jì)算得到鈷硅薄膜的自由能-成分曲線，通過曲線可以看出自由能隨薄膜組成的

2、變化，根據(jù)公切線原理，對(duì)濺射態(tài)各組分的鈷硅薄膜進(jìn)行了分析，得出了各組分薄膜在濺射態(tài)時(shí)的穩(wěn)定態(tài)，從理論上說明了濺射態(tài)時(shí)CoSi2非晶態(tài)合金有較低的自由能。研究了Co-Si系非晶晶化溫度隨成分的變化情況，在不同成分的時(shí)候，影響結(jié)晶溫度的主要因素也不同，主要有MIC, 混合焓和擴(kuò)散三種原因。通過DSC曲線用非等溫動(dòng)力學(xué)方法計(jì)算出了CoSi和CoSi2的晶化激活能。經(jīng)過以上計(jì)算分析給出了清楚的晶化反映描述。 研究了薄膜的組織結(jié)構(gòu)及性能，