硫化物納米薄膜的超聲噴霧熱解制備和物性研究.pdf

1、噴霧熱解技術(shù)被廣泛用于制備各種薄膜材料，其相關(guān)工藝參數(shù)的控制是獲得高質(zhì)量薄膜的關(guān)鍵。近幾年，人們把重點(diǎn)放在如何利用各種手段使霧滴變得更小，更均勻分散，從而利于在納米尺度或更小尺度范圍內(nèi)的材料制備。硫化物納米薄膜因具有許多特殊性質(zhì)而被廣泛應(yīng)用，其制備方法也是多元化的，而改進(jìn)的超聲噴霧熱解技術(shù)，因其自身的許多優(yōu)勢(shì)，常被用來制備硫化物納米薄膜，并取得好的效果。 論文主要包括以下三個(gè)部分： (一)分析了噴霧熱解技術(shù)的發(fā)展過程及現(xiàn)

2、狀，從而在此基礎(chǔ)之上，改進(jìn)了超聲噴霧熱解技術(shù)，并在理論指導(dǎo)之下，提出了控制霧滴實(shí)現(xiàn)自組裝的設(shè)想。 (二)利用改進(jìn)的異步脈沖噴霧熱解法，在較低的溫度下，在玻璃襯底上，沉積得到了γ-Gd<,2>S<,3>納米多晶薄膜；利用掃描電子顯微鏡、X射線衍射儀和拉曼光譜對(duì)其微結(jié)構(gòu)進(jìn)行了表征；并通過LCR儀和紫外可見光分光計(jì)對(duì)樣品的物性進(jìn)行了測(cè)試，結(jié)果表明：γ-Gd2S。納米多晶薄膜的介電頻譜與常規(guī)材料有較大差異，等價(jià)于雙層電介質(zhì)模型，其響應(yīng)行

3、為類似于德拜馳豫；本征吸收區(qū)處在可見光范圍內(nèi)，與常規(guī)γ-吸收譜相比發(fā)生了紅移以及脈沖噴霧時(shí)間的合適間隙比是獲得均勻納米γ-Gd<,2>S<,3>薄膜的關(guān)鍵。 (三)采用改進(jìn)的噴霧熱解方法——異步脈沖超聲噴霧熱解法(asynchronousultrasonic spray pyrolysis，APUSP)，以BiCl<,3>、硫脲和碘為前驅(qū)物，在非晶襯底上成功地制備了BiSI納米棒陣列薄膜。對(duì)采用異步脈沖超聲噴霧熱解法所制備的棒狀