剪切載荷下面陣列封裝互連結(jié)構(gòu)的力學(xué)行為研究.pdf

1、隨著電子產(chǎn)品向微型化、多功能化方向發(fā)展，面陣列封裝以其高 I/O數(shù)、導(dǎo)熱性能好、封裝體積小和成本低等優(yōu)點(diǎn)成為目前的主流封裝形式。電子產(chǎn)品在使用過(guò)程中，由于熱循環(huán)，跌落沖擊等因素可能在芯片基板和電路板之間產(chǎn)生剪切載荷使其損壞失效，因此研究互連結(jié)構(gòu)的剪切性能十分重要。
　　本文采用 PTR-1100接合強(qiáng)度測(cè)試儀對(duì)單個(gè) BGA微焊點(diǎn)以及 BGA， CCGA和 CuCGA封裝的整體陣列互連結(jié)構(gòu)的剪切性能進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)研究，并考察了焊點(diǎn)形狀參

2、數(shù)和剪切速度對(duì)陣列互連結(jié)構(gòu)的剪切行為的影響。結(jié)果表明：
　　1）BGA單球和陣列互連的剪切曲線均呈拋物線形。CCGA和 CuCGA陣列互連在發(fā)生撓曲變形后剪切曲線表現(xiàn)出不同的四個(gè)階段，并且焊柱在第一階段以彈性變形為主，在第二階段以撓曲變形為主。
　　2）SAC305和Sn30Pb70 BGA微焊點(diǎn)的至斷剪切力隨剪切高度的增加而減小，隨剪切速度的增加而增大。至斷位移隨剪切高度的增加而增加；而剪切速度對(duì)單個(gè)微焊點(diǎn)的至斷位移的影響

3、在SAC305和Sn30Pb70兩種不同材料上有所不同。BGA陣列互連的至斷剪切力隨剪切速度的增加呈增加趨勢(shì)，至斷位移則呈減小趨勢(shì)。
　　3）長(zhǎng)徑比從3到10，CCGA的至斷剪切力先減小后增加，然后趨于平穩(wěn)；長(zhǎng)徑比從6到12，CuCGA的至斷剪切力則呈增加趨勢(shì)，但增加趨勢(shì)變得緩慢。CCGA和 CuCGA的至斷位移隨長(zhǎng)徑比的增加而增加。隨著剪切速度的增加，CCGA和 CuCGA的至斷剪切力都呈增加趨勢(shì)；CuCGA的至斷位移也呈增加趨