基于憶阻器的記憶元件模型的研究.pdf

1、目前記憶元件包括憶阻器、憶容器和憶感器，它們的提出是對(duì)經(jīng)典電路理論的擴(kuò)充。記憶元件由于其獨(dú)特的記憶效應(yīng)，具有廣闊的應(yīng)用前景。受限于制造工藝，記憶元件現(xiàn)在還無法批量生產(chǎn)，對(duì)于這些元件的研究主要依賴于計(jì)算機(jī)輔助電路分析軟件。因此，各個(gè)元件的仿真模型成為了對(duì)此類元件進(jìn)行深入研究的基石。
　　本文首先全面探討了不同記憶元件之間線性變換的轉(zhuǎn)換條件，然后基于這些轉(zhuǎn)換條件構(gòu)造了憶阻-憶容、憶阻-憶感、憶容-憶感和憶容-憶阻轉(zhuǎn)換電路，并用這些轉(zhuǎn)換

2、電路構(gòu)成了不同的記憶元件模型。PSpice仿真實(shí)驗(yàn)表明所構(gòu)造的模型中憶阻器的i-v曲線、憶容器的q-v曲線和憶感器的i-?曲線均為遲滯回線，且激勵(lì)信號(hào)的頻率變大會(huì)使記憶元件的遲滯回線的收縮程度變大，這些結(jié)果驗(yàn)證了本文所提出的記憶元件模型的正確性。此外，為了便于將各個(gè)記憶元件的模型應(yīng)用到實(shí)際電路中，本文還介紹了用憶阻值控制電路來控制各個(gè)記憶元件模型取值的方法，一系列的實(shí)驗(yàn)表明各個(gè)記憶元件具有較大的取值范圍。
　　更進(jìn)一步的，本文還探