基于憶阻器的耦合行為與突觸電路研究.pdf

1、隨著電子技術(shù)和材料工藝的發(fā)展，復(fù)雜信息處理的方式越來(lái)越高效簡(jiǎn)潔。作為納米級(jí)材料的最新成果，憶阻器將磁通量和電荷聯(lián)系起來(lái)，并且?guī)в杏洃浱匦?，加上其天然的納米級(jí)尺寸，受到了學(xué)術(shù)界和工業(yè)界的極大關(guān)注和研究。同時(shí)，憶阻器能夠模擬人類大腦中突觸的記憶功能，這有望徹底改變計(jì)算機(jī)的工作方式和信息處理方式。
　　本文分析了憶阻器的研究現(xiàn)狀，緊接著總結(jié)了憶阻器相關(guān)數(shù)學(xué)模型的理論和仿真。然后，對(duì)憶阻器間的耦合行為進(jìn)行了詳細(xì)分析，探討了初始阻值對(duì)憶阻器

2、工作范圍的影響。最后，對(duì)憶阻橋突觸電路進(jìn)行了相關(guān)分析和仿真實(shí)驗(yàn)，并且針對(duì)其不足進(jìn)行了改進(jìn)。
　　首先，本文分析了惠普憶阻器、自旋憶阻器和磁控耦合憶阻器的數(shù)學(xué)模型，并且進(jìn)行了理論分析和仿真實(shí)驗(yàn)。
　　其次，在磁控憶阻器的基礎(chǔ)上構(gòu)建了磁控耦合憶阻器的數(shù)學(xué)模型，總結(jié)了不同連接方向下的憶阻器串并聯(lián)的耦合行為，而且利用設(shè)計(jì)的圖形用戶界面直觀的展示了耦合憶阻器的關(guān)系曲線。然后，討論了不同初始憶阻值下，憶阻器正常工作范圍的變化。緊接著利用