硅片檢測(cè)運(yùn)動(dòng)平臺(tái)真空吸附系統(tǒng)設(shè)計(jì)與分析.pdf

1、硅片表面顆粒污染檢測(cè)裝備對(duì)集成電路生產(chǎn)效率和質(zhì)量的提高起著重大作用。隨著硅片的徑向尺寸的增加，其剛度特性越來(lái)越差，極易發(fā)生變形和破損。本文依托國(guó)家重大科研專(zhuān)項(xiàng)，對(duì)硅片檢測(cè)運(yùn)動(dòng)平臺(tái)的真空吸附系統(tǒng)進(jìn)行了相應(yīng)的設(shè)計(jì)與分析，旨在提高硅片的拾取效率的同時(shí)保證硅片快速吸附過(guò)程的穩(wěn)定性。
　　本文根據(jù)硅片檢測(cè)的實(shí)際需求，采用 Z軸升降機(jī)構(gòu)直接驅(qū)動(dòng)真空吸盤(pán)并吸附硅片的拾取方案。針對(duì)升降機(jī)構(gòu)和真空吸盤(pán)等關(guān)鍵組件進(jìn)行了設(shè)計(jì)與分析。在此基礎(chǔ)上研究了硅片

2、吸附過(guò)程的動(dòng)作行為，基于流固耦合理論與動(dòng)網(wǎng)格原理，建立了硅片吸附過(guò)程的動(dòng)力學(xué)模型并分析了硅片吸附過(guò)程的動(dòng)態(tài)特性。通過(guò)仿真結(jié)果觀測(cè)真空吸盤(pán)快速接近硅片時(shí)，硅片會(huì)被壓縮氣體產(chǎn)生的排斥力“吹起”，導(dǎo)致吸附過(guò)程的不穩(wěn)定。針對(duì)該問(wèn)題，提出一種調(diào)整真空度以抑制該現(xiàn)象的方法，并通過(guò)仿真初步驗(yàn)證了此方法的可行性，對(duì)真空度與真空吸盤(pán)垂向運(yùn)動(dòng)速度進(jìn)行了初步匹配。
　　最后，對(duì)硅片的動(dòng)態(tài)吸附效果進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)測(cè)試。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，動(dòng)網(wǎng)格建模方法能夠正確地反映