2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁(yè)
已閱讀1頁(yè),還剩61頁(yè)未讀, 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

1、目前,高效的太赫茲源仍然是太赫茲研究與應(yīng)用中的重點(diǎn)和瓶頸。本文主要研究金屬表面、氧化亞銅/金屬界面和硅表面的太赫茲輻射。通過(guò)多種不同的實(shí)驗(yàn)方法,我們探討了其中可能存在的產(chǎn)生機(jī)制。
  實(shí)驗(yàn)中,用入射角可以調(diào)諧的機(jī)械結(jié)構(gòu)初步研究了金屬表面的太赫茲輻射。通過(guò)與前人工作的對(duì)比,可知,一般的振蕩級(jí)激光器在沒(méi)有激發(fā)表面等離激元的情況下,是無(wú)法輻射出可探測(cè)的太赫茲信號(hào)的。
  在研究金屬表面輻射太赫茲過(guò)程中,發(fā)現(xiàn)Cu2O/金屬界面可以輻

2、射出比較強(qiáng)的太赫茲。我們制作了一塊Cu2O/Au薄膜樣品,其表面輻射的太赫茲電場(chǎng)強(qiáng)度有InAs的十分之一。如果可以合理的調(diào)節(jié)Cu2O/Au薄膜中的參數(shù),有可能會(huì)制作出更強(qiáng)甚至超越InAs的太赫茲表面輻射源。
  硅表面的太赫茲輻射很弱。實(shí)驗(yàn)中,測(cè)得硅表面輻射的太赫茲電場(chǎng)強(qiáng)度只有InAs的1/500。通過(guò)測(cè)量太赫茲電場(chǎng)強(qiáng)度對(duì)方位角的依賴,首次在太赫茲波段觀察到單晶硅表面的四重對(duì)稱性。我們認(rèn)為,這一對(duì)稱性和人們之前用二次諧波所觀察到的

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論