MEMS開關(guān)失效機(jī)理及MEMS開關(guān)在微波電路應(yīng)用中的研究.pdf

1、目前制約MEMS開關(guān)應(yīng)用的主要瓶頸是開關(guān)的可靠性問題。MEMS開關(guān)的設(shè)計(jì)涉及到力學(xué)、材料學(xué)、電磁學(xué)、熱力學(xué)和表面微加工等領(lǐng)域，要改善MEMS開關(guān)的可靠性需要綜合考慮以上各個(gè)因素。本文旨在分析MEMS開關(guān)的失效機(jī)理并給出相應(yīng)的改進(jìn)措施，同時(shí)對(duì)MEMS開關(guān)在微波電路中的典型應(yīng)用進(jìn)行研究。文中包含主要的工作內(nèi)容如下：
　　1.直接接觸式固支梁MEMS開關(guān)的機(jī)電性能研究。推導(dǎo)了開關(guān)的下拉電壓，并給出了開關(guān)在up態(tài)和down態(tài)的集總參數(shù)等效

2、電路。通過COMSOL軟件建模仿真，得到開關(guān)的下拉電壓約為40V。采用HFSS軟件對(duì)開關(guān)的射頻性能進(jìn)行仿真，驗(yàn)證了梁長(zhǎng)、梁寬和梁高等關(guān)鍵設(shè)計(jì)參數(shù)對(duì)開關(guān)插入損耗及隔離度的影響。
　　2.直接接觸式固支梁MEMS開關(guān)的失效機(jī)理分析。通過實(shí)驗(yàn)實(shí)踐發(fā)現(xiàn)了工藝因素導(dǎo)致的開關(guān)失效，進(jìn)行了工藝調(diào)整；研究了殘余應(yīng)力對(duì)開關(guān)彈性系數(shù)帶來的影響，通過開關(guān)梁打孔的方式進(jìn)行殘余應(yīng)力釋放；同時(shí)還研究了溫度因素對(duì)開關(guān)可靠性的影響，包括觸點(diǎn)粘連以及開關(guān)梁形變兩方

3、面并分別給出了改進(jìn)方法。
　　3.一種MEMS開關(guān)可靠性測(cè)試平臺(tái)的設(shè)計(jì)。介紹了一種MEMS開關(guān)測(cè)試平臺(tái)的設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)，該測(cè)試平臺(tái)能進(jìn)行MEMS開關(guān)的壽命測(cè)試并且可以產(chǎn)生任意波形的下拉電壓。該測(cè)試平臺(tái)的提出可以為MEMS開關(guān)可靠性的研究提供方便的測(cè)試手段。
　　4.MEMS開關(guān)在微波電路中的典型應(yīng)用研究。以基于MEMS開關(guān)的線型移相器和基于MEMS開關(guān)的可調(diào)帶通濾波器兩個(gè)設(shè)計(jì)實(shí)例為例，研究了MEMS開關(guān)在微波電路中的應(yīng)用。對(duì)基于

4、MEMS開關(guān)的四位移相器完成了仿真驗(yàn)證和實(shí)物測(cè)試，達(dá)到的指標(biāo)為工作頻率2.1GHz～2.3GHz，帶內(nèi)插入損耗<3dB，回波損耗<-10dB，電壓駐波比<1.25，實(shí)現(xiàn)0～180°相移，相移步進(jìn)12°，中心頻率處移相精度在±3°以內(nèi)。對(duì)基于MEMS開關(guān)的可調(diào)帶通濾波器進(jìn)行了仿真驗(yàn)證，其設(shè)計(jì)指標(biāo)為中心頻率f01.5～2GHz，通帶帶寬150MHz，帶內(nèi)插入損耗<2dB，回波損耗<-10dB，阻帶衰減≥30dB（當(dāng)f≥1.15f0或f≤0.