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1、1 / 5Xilinx公司提供了大量的存儲(chǔ)器資源,包括了內(nèi)嵌的塊存儲(chǔ)器、分布式存儲(chǔ)器以及16位的移位寄存器.利用這些資源可以生成深度、位寬可配置的RAM、 ROM、FIFO以及移位寄存器等存儲(chǔ)邏輯。其中,塊存儲(chǔ)器是硬件存儲(chǔ)器,不占用任何邏輯資源,其余兩類都是Xilinx專有的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu),由FPGA芯片的查找表和觸發(fā)器資源構(gòu)建的,每個(gè)查找表可構(gòu)成16 1位的分布式存儲(chǔ)器或移位寄存器。一般來(lái)講,塊存儲(chǔ)器是寶貴的資源,通常用于大數(shù)據(jù)量的應(yīng)用場(chǎng)合
2、,而其余兩類用于小數(shù)據(jù)量環(huán)境。1.塊存儲(chǔ)器的組成和功能介紹在Xilinx FPGA中,塊RAM是按照列來(lái)排列的,這樣保證了每個(gè)CLB單元周圍都有比較接近的塊RAM用于存儲(chǔ)和交換數(shù)據(jù)。與塊RAM接近的是硬核乘加單元,這樣不僅有利于提高乘法的運(yùn)算速度,還能形成微處理器的雛形,在數(shù)字信號(hào)處理領(lǐng)域非常實(shí)用.例如,在Spartan 3E系列芯片中,塊RAM分布于整個(gè)芯片的邊緣,其外部一般有兩列CLB,如圖4—120所示,可直接對(duì)輸入數(shù)據(jù)進(jìn)行大規(guī)模
3、緩存以及數(shù)據(jù)同步操作,便于實(shí)現(xiàn)各種邏輯操作。圖4-120 Spartan3E系統(tǒng)芯片中塊RAM的分布圖塊RAM幾乎是FPGA器件中除了邏輯資源之外用得最多的功能塊,Xilinx的主流 FPGA芯片內(nèi)部都集成了數(shù)量不等的塊RAM硬核資源,速度可以達(dá)到數(shù)百兆赫茲,不會(huì)占用額外的CLB資源,而且可以在ISE環(huán)境的IP核生成器中靈活地對(duì)RAM進(jìn)行配置,構(gòu)成單端口RAM、簡(jiǎn)單雙口RAM、真正雙口RAM、ROM(在RAM中存入初值)和FIFO等應(yīng)用
4、模式,如圖4—121所示.同時(shí),還可以將多個(gè)塊RAM通過(guò)同步端口連接起來(lái)構(gòu)成容量更大的塊RAM。圖4-121 塊RAM組合操作示意圖1)單端口RAM模式單端口RAM的模型如圖4-122所示,只有一個(gè)時(shí)鐘源CLK,WE為寫使能信號(hào),EN為單口RAM使能信號(hào),SSR為清零信號(hào),ADDR為地址信號(hào),DI和DO分別為寫入和讀出數(shù)據(jù)信號(hào)。3 / 5圖4—124 Xilinx真正雙端口塊RAM的示意模型真正雙端口RAM模式在很多應(yīng)用中可以增加存儲(chǔ)帶
5、寬。例如,在包含嵌入式處理器MiroBlaze和DMA控制器系統(tǒng)中,采用真正雙端口RAM模式會(huì)很方便;相反,如果在這樣的一個(gè)系統(tǒng)中,采用簡(jiǎn)單雙端口RAM模式,當(dāng)處理器和DMA控制器同時(shí)訪問(wèn)RAM時(shí),就會(huì)出現(xiàn)問(wèn)題。真正雙端口RAM模式支持處理器和DMA控制器同時(shí)訪問(wèn),這個(gè)特性避免了采用仲裁的麻煩,同時(shí)極大地提高了系統(tǒng)的帶寬。一般來(lái)講,在單個(gè)塊RAM實(shí)現(xiàn)的真正雙端口RAM模式中,能達(dá)到的最寬數(shù)據(jù)位為36比特*512,但可以采用級(jí)聯(lián)多個(gè)塊RA
6、M的方式實(shí)現(xiàn)更寬數(shù)據(jù)位的雙端口RAM.當(dāng)兩個(gè)端口同時(shí)向同一個(gè)地址單元寫入數(shù)據(jù)時(shí),寫沖突將會(huì)發(fā)生,這樣存入該地址單元的信息將是未知的。要實(shí)現(xiàn)有效地向同一個(gè)地址單元寫入數(shù)據(jù),A 端口和B端口時(shí)鐘上升沿的到來(lái)之間必須滿足一個(gè)最小寫周期時(shí)間間隔.因?yàn)樵趯憰r(shí)鐘的下降沿,數(shù)據(jù)被寫入塊RAM中,所以A端口時(shí)鐘的上升沿要比B端口時(shí)鐘的上升沿晚到來(lái)1/2個(gè)最小寫時(shí)鐘周期,如果不滿足這個(gè)時(shí)間要求,則存入此地址單元的數(shù)據(jù)無(wú)效。4)ROM模式塊RAM還可以配置
7、成ROM,可以使用存儲(chǔ)器初始化文件(。coe)對(duì)ROM進(jìn)行初始化,在上電后使其內(nèi)部的內(nèi)容保持不變,即實(shí)現(xiàn)了ROM功能。5)FIFO模式FIFO即先入先出,其模型如圖4-125所示。在FIFO具體實(shí)現(xiàn)時(shí),數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的部分是采用簡(jiǎn)單雙端口模式操作的,一個(gè)端口只寫數(shù)據(jù)而另一個(gè)端口只讀數(shù)據(jù),另外在RAM(塊RAM和分布式RAM)周圍加一些控制電路來(lái)輸出指示信息。FIFO最重要的特征是具備“滿(FULL)“和“空(EMPTY)”的指示信號(hào),當(dāng)FUL
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