40個實用模擬電路小常識

1、1、電接口設(shè)計中，反射衰減通常在高頻情況下變差，這是因為帶損耗的傳輸線反射同頻率相關(guān)，這種情況下，盡量縮短 PCB 走線就顯得異常重要。2、穩(wěn)壓二極管就是一種穩(wěn)定電路工作電壓的二極管，由于特殊的內(nèi)部結(jié)構(gòu)特點，適用反向擊穿的工作狀態(tài)，只要限制電流的大小，這種擊穿是非破壞性的。3、PN 結(jié)具有一種很好的數(shù)學(xué)模型：開關(guān)模型→二極管誕生了→再來一個 PN 結(jié)，三極管誕生了。4、高頻電路中，必須考慮 PN 結(jié)電容的影響（正向偏置為擴散電容，反相偏

2、置為勢壘電容） 。5、在高密度的場合下，由于收發(fā)信號挨在一起，很容易發(fā)生串?dāng)_，這在布線時要遵守 3W原則，即相鄰 PCB 走線的中心線間距要大于 PCB 線寬的 3 倍。在插卡設(shè)備，接插件連接的位置，要有許多接地針，提供良好的射頻回路。6、雙極型管是電流控制器件，通過基極較小的電流控制較大的集電極電流；MOS 管是電壓控制器件，通過柵極電壓控制源漏間導(dǎo)通電阻。7、三極管是靠載流子的運動來工作的，以 npn 管射極跟隨器為例，當(dāng)基極加不加

3、電壓時，基區(qū)和發(fā)射區(qū)組成的 pn 結(jié)為阻止多子（基區(qū)為空穴，發(fā)射區(qū)為電子）的擴散運動，在此 pn 結(jié)處會感應(yīng)出由發(fā)射區(qū)指向基區(qū)的靜電場（即內(nèi)建電場） 。8、肖特基二極管（Schottky, SBD）適用于高頻開關(guān)電路，正向壓降和反相壓降都很低（0.2V）但是反向擊穿電壓較低，漏電流也較大。9、抖動特性絕大部分取決于輸出芯片的特性，不過，如果 PCB 布線不當(dāng)，電源濾波不夠充分，時鐘參考源太沖太大也會增加抖動成分。信號線的匹配對抖動產(chǎn)生

4、直接的影響。特別是芯片中含有倍頻功能，本身相位噪聲較大。10、極型選擇是指 BJT 是用 PNP 還是 NPN 管，這應(yīng)該在確定電源形式時同時考慮。有些三19、主流是從發(fā)射極到集電極的 IC，偏流就是從發(fā)射極到基極的 Ib。相對與主電路而言，為基極提供電流的電路就是所謂的偏置電路。20、場效應(yīng)管三個鋁電極：柵極 g，源極 s，漏極 d。分別對應(yīng)三極管的基極 b，發(fā)射極e，集電極 c。其中 P 型襯底一般與柵極 g 相連。21、增強型 F

5、ET 必須依靠柵源電壓 Vgs 才能起作用（開啟電壓 Vt） ，耗盡型 FET 則不需要柵源電壓，在正的 Vds 作用下，就有較大的漏極電流流向源極（如果加負的 Vgs，那么可能出現(xiàn)夾斷，此時的電壓成為夾斷電壓 Vp***重要特性***：可以在正負的柵源電壓下工作）22、N 溝道的 MOS 管需要正的 Vds（相當(dāng)于三極管加在集電極的 Vcc）和正的 Vt（相當(dāng)于三極管基極和發(fā)射極的 Vbe） ，而 P 溝道的 MOS 管需要負的 Vd

6、s 和負的 Vt。23、VMOSFET 有高輸入阻抗、低驅(qū)動電流；開關(guān)速度快、高頻特性好；負電流溫度系數(shù)、無熱惡性循環(huán)，熱穩(wěn)定型優(yōu)良的優(yōu)點。24、運算放大器應(yīng)用時，一般應(yīng)用負反饋電流。25、差分式放大電路：差模信號：兩輸入信號之差。共模信號：兩輸入信號之和除以 2。由此：用差模與共模的定義表示兩輸入信號可得到一個重要的數(shù)學(xué)模型：任意一個輸入信號=共模信號±差模信號/2。26、差分式放大電路只放大差模信號，抑制共模信號。利用這個

7、特性，可以很好的抑制溫度等外界因素的變化對電路性能的影響。具體的性能指標(biāo)：共模抑制比 Kcmr。27、二極管在從正偏轉(zhuǎn)換到反偏的時候，會出現(xiàn)較大的反向恢復(fù)電流從陰極流向陽極，其反向電流先上升到峰值，然后下降到零。28、在理想的情況下，若推挽電路的兩只晶體管電流、電壓波完全對稱，則輸出電流中將沒有偶次諧波成分，及推挽電路由已知偶次諧波的作用。實際上由于兩管特性總有差異，電路也不可能完全對稱，因此輸出電流還會有偶次諧波成分，為了減少非線性失