二維δ層稀磁半導體的居里溫度隨形變提高的機制研究.pdf

1、近幾年，自旋電子學在凝聚態(tài)物理中發(fā)展起來，并逐漸成為該領域重要的研究方向。理論研究最終都需要服務于實際應用，而自旋電子學在投入應用時需要滿足一個重要條件——高效率的自旋極化（自旋電流）源。前人通過研究發(fā)現(xiàn)，傳統(tǒng)的磁性金屬產生的自旋注入流，在注入到半導體的過程中容易耗散掉?？紤]到這一點，人們尋找到了一種新型材料——稀磁半導體，該材料即具有半導體的結構特性又具有金屬的特點。將這種雙重特性的稀磁半導體作為自旋注入流，才使得自旋電子學得以廣泛應

2、用。然而，為了應用的便利性，稀磁半導體需要在室溫下獲得自旋電子流。也就是說，獲得室溫鐵磁性的稀磁半導體成為了現(xiàn)在研究的關鍵所在。哪些稀磁半導體具有室溫下的鐵磁性？怎樣提高鐵磁性稀磁半導體的居里溫度？這些問題都值得探討和研究。
　　本論文就是用基于密度泛函理論的第一性原理方法研究一些磁性體系里居里溫度提高的方法以及電子結構特征。具體內容有：ZnSe體系共摻雜實現(xiàn)鐵磁性；形變提高體系的居里溫度；同一體系下雙交換、p-d交換機制的競爭；