氧化鋅基稀磁半導體的磁性研究.pdf

1、稀磁半導體材料是自旋電子學領域一個重要的分支,基于稀磁半導體材料發(fā)展而來的自旋電子器件可以同時利用電子的電荷和自旋屬性,可以突破傳統(tǒng)電子學所面臨的量子力學瓶頸,實現(xiàn)信息的傳遞、處理、儲存于一體,受到了科學界的廣泛關注。
　　氧化鋅(Zinc Oxide,ZnO)是一種寬禁帶Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體,在傳輸場效應管、發(fā)光二級管、太陽能電池等光電子器件領域有著廣泛的應用。ZnO基稀磁半導體材料(DMS)由于它的理論預測居里溫度在室溫以上而

2、被廣泛關注,但是了解ZnO基DMS中磁性的調制,將對于發(fā)展新一代基于稀磁半導體的非揮發(fā)性晶體管提供重要的實驗和理論基礎。
　　本文通過對ZnMnO體系、ZnCoO體系、ZnNiO體系的磁性研究來了解ZnO基DMS中磁性的影響因素,主要包括以下幾個方面的內容:
　　1.對ZnMnO體系,主要考慮了磁性原子間的RKKY相互作用和超交換相互作用,結果發(fā)現(xiàn),體系的磁性與磁性原子的摻雜濃度、載流子濃度、RKKY相互作用和超交換相互作用

3、等有關,體系的磁化強度隨著RKKY交換作用系數(shù)J0的增加而增大,隨著超交換作用系數(shù)k的增加而減小。并且隨著磁性原子摻雜濃度的增大,體系要達到較高的磁化強度將需要較大的載流子濃度。
　　2.對ZnCoO體系,主要考慮了磁性原子間的RKKY相互作用和超交換相互作用,結果發(fā)現(xiàn),體系的磁化強度隨著載流子濃度的增加而先增大后減小,體系的磁化強度與RKKY交換相互作用和超交換相互作用之間的競爭有關。體系的磁化率隨溫度的變化關系結果顯示:在較低

4、的溫度下,體系的磁化率較大,并且體系的磁化率隨溫度的升高而減小的變化率隨著J0值的減小而增大,隨著k值的增大而增大。
　　3.對ZnNiO體系,主要考慮了三種自旋交換相互作用:超交換作用、雙交換作用和RKKY交換作用,體系的磁化強度隨著雙交換作用參數(shù)t值的增大而增大,隨著RKKY交換作用系數(shù)J0的增加而增大,隨著超交換作用系數(shù)k的增加而減小。體系的磁化率隨溫度的變化關系為:體系的磁化率隨溫度的升高而減小的變化率隨著J0值的減小而增