相變存儲陣列的測試方法及熱串擾HSPIC模擬研究.pdf

1、作為下一代有廣闊前景的非易失性固態(tài)存儲器之一，相變存儲器（Phase Change Memory）具有功耗低、速度快、可實現(xiàn)多值存儲等優(yōu)勢，在近年來得到了飛速發(fā)展。相變存儲器工作的核心原理是利用相變材料溫度和熱量的變化引起相態(tài)的改變來實現(xiàn)不同的存儲狀態(tài)，因此對相變存儲陣列相關(guān)溫度特性的研究是研究重點之一。相變存儲器的集成度的提高受到陣列工藝、容量以及單元間熱串擾等因素的制約。對于大容量相變存儲器，我們需要不斷對相變存儲陣列進行相關(guān)電特性

2、測試來指導工藝技術(shù)的改進和提高，同時，在目前還沒有成熟的陣列熱串擾測試方法的情況下，通過建立模型進一步模擬分析陣列熱串擾對進一步提高相變存儲器的集成度具有指導意義。
　　在測試相變存儲陣列時，本文構(gòu)建了一個可以準確快速選取相變存儲陣列中指定單元進行測試的測試系統(tǒng)，系統(tǒng)的核心是陣列選址測試板。本文研究重點之一便是陣列選址測試板的設(shè)計與制作，測試板主要分為行選擇電路和列選擇電路，行列選擇電路結(jié)構(gòu)類似，均是由多級開關(guān)陣列實現(xiàn)多路復用模擬

3、通道的選通。文中通過選址測試板對相變存儲陣列樣品進行測試，測試結(jié)果驗證了測試板優(yōu)良的選通功能和陣列良好的工作性能。
　　為了進一步分析研究相變存儲陣列存儲單元之間的熱串擾現(xiàn)象，本文另一個研究重點是根據(jù)熱學、電學、晶體動力學等基本原理構(gòu)建了相變存儲陣列HSPICE模型。文中詳細介紹了模型各個模塊的構(gòu)建思路及原理，確定了各模型參數(shù)。首先，通過基本仿真結(jié)果與相變存儲器工作原理對比驗證了模型的可行性；然后基于該模型對相鄰單元間的熱串擾進行