高壓IGBT功率模塊瞬態(tài)直通模型與關(guān)鍵技術(shù)研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、電子科技大學(xué)UNIVERSITYOFELECTRONICSCIENCETECHNOLOGYOFCHINA博士學(xué)位論文DOCTALDISSERTATION（電子科技大學(xué)圖標(biāo)）高壓高壓IGBT功率模塊功率模塊瞬態(tài)瞬態(tài)直通模型與關(guān)鍵技術(shù)研究直通模型與關(guān)鍵技術(shù)研究微電子學(xué)與固體電子學(xué)微電子學(xué)與固體電子學(xué)201011030210華慶張波教授RESEARCHONTRANSIENTSTRAIGHTTHROUGHMODELKEYTECHNOLOGIES

2、OFHIGHVOLTAGEIGBTPOWERMODULEADoctalDissertationSubmittedtoUniversityofElectronicScienceTechnologyofChinaMaj:MicroelectronicsSolidStateElectronicsAuth:HuaQingAdvis:Prof.ZhangBoSchool:SchoolofMicroelectronicsSolidStateElec

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