2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
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文檔簡介

1、隨著微電子技術(shù)快速發(fā)展,各種電子設(shè)備如雨后春筍般涌現(xiàn),而電源作為電子設(shè)備的重要組成部分,其性能好壞直接決定了電子系統(tǒng)的優(yōu)劣。在移動智能終端朝著體積越來越薄,重量越來越輕,功能越來越強大的方向發(fā)展的背景下,開關(guān)電源管理芯片緊隨這一潮流,朝著低壓,大帶載能力的道路上大步邁進。近年來,各種電子設(shè)備推陳出新,對電源系統(tǒng)的帶載能力越來越苛刻。
  本文設(shè)計了一款寬輸入大負載電流的單片集成DC-DC開關(guān)電源芯片,芯片內(nèi)部集成雙極性功率管,負載

2、電流能力設(shè)計為3 A,輸入電壓范圍5.5-36 V,輸出電壓為5 V,固定開關(guān)頻率500 KHz。本文首先介紹了開關(guān)電源的發(fā)展現(xiàn)狀和課題的研究意義,分析了DC-DC開關(guān)電源基本理論,然后在DC-DC開關(guān)電源芯片的研究基礎(chǔ)上重點研究如何提高系統(tǒng)的帶載能力。帶載能力的分析從理論著手,分析它們影響帶載能力的原因和過程,在此基礎(chǔ)上提出相應(yīng)的改善思想。最后在通過具體的電路模塊將這一思想付諸實踐。同時,本芯片在提高轉(zhuǎn)換效率上做了諸多設(shè)計考量:采用輸

3、出電壓對電路進行偏置,拓撲中引用升壓電容使得開關(guān)功率管工作在飽和區(qū)。本芯片采用的是峰值電流PWM控制結(jié)構(gòu),考慮到大負載能力的設(shè)計指標(biāo),采用分段線性斜坡補償并集成反斜坡補償電路,最大限度提高負載電流能力。
  基于CSMC2μm36 V雙極型工藝對芯片系統(tǒng)各項性能指標(biāo)進行仿真驗證,同時為驗證集成反斜坡補償?shù)姆侄尉€性斜坡補償對芯片帶載能力有改善作用,本文還給出了一種沒有集成反斜坡補償?shù)姆侄尉€性斜坡補償電路模塊作仿真對比,其他模塊保持一

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