功率MOSFET的SOA測(cè)試與驗(yàn)證系統(tǒng)實(shí)現(xiàn).pdf

1、隨著我國經(jīng)濟(jì)的持續(xù)快速發(fā)展與環(huán)境問題的日益嚴(yán)峻，能量處理的管理需求隨之增加。在對(duì)電壓電流的運(yùn)用進(jìn)行有效控制方面，功率器件起到了至關(guān)重要的作用。而功率MOSFET作為新型半導(dǎo)體器件的代表，在各個(gè)領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用。由于功率MOSFET需要安全地工作在一定的條件下，并且在工作條件發(fā)生突變時(shí)仍能保證器件安全工作而不會(huì)引發(fā)電力電子裝置破壞性問題。因此，其安全區(qū)工作區(qū)的確定工作尤為重要。
　　本文選取功率MOSFET的安全工作區(qū)（SOA，Saf

2、e Operating Area）作為研究背景，并選取VDMOS作為具體研究對(duì)象，對(duì)其影響安全工作區(qū)的熱特性和電特性進(jìn)了分析，確定了限制安全工作區(qū)范圍的參數(shù)因素。針對(duì)最大直流功耗以及最大脈沖功耗限制，本文對(duì)功率MOSFET的穩(wěn)態(tài)熱阻和瞬態(tài)阻抗進(jìn)行了詳細(xì)研究。本文隨后通過實(shí)驗(yàn)測(cè)量了限制功率MOSFET安全工作區(qū)的電學(xué)參數(shù)。最終根據(jù)以上測(cè)試參數(shù)確定了理論的SOA曲線。
　　針對(duì)在實(shí)際應(yīng)用中，功率MOSFET在安全工作區(qū)臨界點(diǎn)處的工作失