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1、 文/ 河南安陽(yáng)安彩高科股份有限公司研發(fā)中心 孫渝威 關(guān)麗哲分析透明金屬氧化物導(dǎo)電膜的專利技術(shù)— 展望光伏T CO玻璃發(fā)展前景【摘 要】 透明導(dǎo)電氧化膜( ( t r a n s p a r e n tc o n d u c t i n go x i d e ,簡(jiǎn)稱為T C O 玻璃或透明導(dǎo)電玻璃) 是一種具有很低電阻率和可見光高透光率的導(dǎo)電玻璃,已被廣泛應(yīng)用于光電器件、液晶顯示、太陽(yáng)電池、熱鏡和各種平板顯示器件等領(lǐng)域,尤其作為一
2、種透明電極在光伏太陽(yáng)電池中占著重要位置。本文介紹了透明導(dǎo)電玻璃專利技術(shù)在中國(guó)及世界范圍內(nèi)的發(fā)展?fàn)顩r,通過對(duì)大量的專利信息檢索、下載分析,進(jìn)行地氈式篩選,利用統(tǒng)計(jì)學(xué)方法和技巧,分析探究了T C O 的鍍膜技術(shù)、工藝狀況。分析展望了光伏用透明導(dǎo)電玻璃在光伏產(chǎn)業(yè)中的地位和前景。 【關(guān)鍵字】 透明導(dǎo)氧化物電薄膜;專利技術(shù)分析;太陽(yáng)電池;光伏用T C O 玻璃1 TCO玻璃技術(shù)概況在當(dāng)今新能源、光伏產(chǎn)業(yè)的迅猛崛起,半導(dǎo)體、計(jì)算機(jī)、太陽(yáng)能高科技
3、技術(shù)日新月異飛速發(fā)展,一種新的功能材料——透明導(dǎo)電氧化物薄膜隨之產(chǎn)生、發(fā)展起來。這類薄膜具有禁帶寬、可見光譜區(qū)光透射率高和電阻率低等優(yōu)點(diǎn)的光電特性,在高效率低成本的太陽(yáng)電池研究與生產(chǎn)中占據(jù)非常重要的位置,廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)電池(S O L A RC E L L )、液晶顯示器(L C D )、等離子顯示器(P D P )、有機(jī)發(fā)光二極管(O L E D )發(fā)光二極管(L E D )、特殊功能建筑涂層及其他光電器件領(lǐng)域。透明導(dǎo)氧化物電薄膜(文
4、中簡(jiǎn)稱T C O 玻璃)是在平板玻璃表面通過物理或者化學(xué)鍍膜的方法均勻的鍍上一層透明的導(dǎo)電氧化物薄膜。氧化物包括 C d O ,Z n O ,Z n O :M (M = A l ,G a ,I n ,F ) ,I T O ,F T O ,S b - S n O 2( A T O )及其復(fù)合多元氧化物薄膜材料。 T C O有兩個(gè)主要指標(biāo):一是對(duì)可見光的高透過率 ( Ta v g> 8 0 %) ,另一個(gè)是高的導(dǎo)電率 (
5、R< 1 0- 3Ω?c m)。透明導(dǎo)電膜(T C O )玻璃不僅具有導(dǎo)電性,同時(shí)具有透光性,已成為新技術(shù)和新興工業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵,是顯示器件、太陽(yáng)電池中是不可缺少的導(dǎo)電薄膜,尤其作為一種透明電極廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)電池上,既保證導(dǎo)電性能又保證透光率。透明導(dǎo)電薄膜大體可以分為:金屬薄膜、透明金屬氧化物( 代表I n 2 O 3 、S n O 2 、Z n O ) 、攙雜氧化金屬氧化物(主要 I n 2 O 3 : S n( I T O )
6、 、Z n O : I n( I Z O等) 、混合氧化物( I n 2 O 3 - Z n O 、C d I n 2 O 4 等)、導(dǎo)電性氮化物膜)、高分子導(dǎo)電膜 。其工作原理是在本征半導(dǎo)體中摻入微量的其他元素,其導(dǎo)電能力很差,摻入后就會(huì)使其導(dǎo)電性能發(fā)生巨大變化。如摻錫的氧化銦( 簡(jiǎn)稱I T O ) ,是將錫元素?fù)饺氲窖趸熤校岣吡藢?dǎo)電率,結(jié)構(gòu)為復(fù)雜的立方鐵錳礦,最低電阻率達(dá) 1 0- 5Ω .c m 量級(jí),光透射率 達(dá)9
7、 0 % 以上。T C O 玻璃制備方法很多,目前有 磁控濺射、金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積、噴霧熱解、脈沖激光沉積、溶膠 -凝膠法等。效果最佳方法是(射頻)磁控濺射,該工藝已經(jīng)成熟,并用于 I T O薄膜的產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn),但由于設(shè)備和靶材等價(jià)格較高,而且不利于制備大面積的導(dǎo)電薄膜。成本更低廉的化學(xué)制備方法是未來透明導(dǎo)電氧化物玻璃的制備工藝的改進(jìn)方向。下圖是幾種T C O 玻璃制備工藝:圖1:磁控濺射鍍膜圖2:真空蒸鍍方法 工藝技術(shù) / P
8、rocessing T echnology 2 0 1 0 / 5www.spvchina.com 太陽(yáng)能光伏 14要,再加上礦產(chǎn)資源的枯竭、原料價(jià)格的上漲,新的替代產(chǎn)品的勢(shì)不可擋,自1 9 9 5 年新型T C O 專利數(shù)目開始增長(zhǎng),2 0 0 2年出現(xiàn)了新的增長(zhǎng),攀升勢(shì)頭有增無減??傊?,T C O 技術(shù)隨著A Z O 、G Z O 、I Z O 、F T O 等新技術(shù)的發(fā)展,專利數(shù)量呈現(xiàn)出高度增長(zhǎng)。3.2 世界各個(gè)國(guó)家的專利
9、發(fā)展趨勢(shì)圖8 是中國(guó)專利以外的世界上T C O 專利較多的國(guó)家的發(fā)展情況,美國(guó)的專利是處于領(lǐng)先地位,日本次之,德國(guó)的專利也是較多的。另外,從該圖中看,美國(guó)日本先申請(qǐng)世界專利,從1 9 9 7 年各個(gè)國(guó)家的專利逐漸增加,說明利用專利控制整個(gè)技術(shù)領(lǐng)域的國(guó)家多起來。3.3 世界各國(guó)申報(bào)TCO專利比例看發(fā)展從專利的種類來看,工藝方面的數(shù)量居多,美國(guó)和日本的專利最為突出。日本的專利在類型方面覆蓋面比較廣、技術(shù)比較成熟,在設(shè)備、材料、結(jié)構(gòu)以及工藝
10、等各個(gè)方面都有不少專利申請(qǐng)。其次是美國(guó)和德國(guó)。從總體的發(fā)展來看,國(guó)外的T C O 技術(shù),工藝方面的專利數(shù)量居多,其中美國(guó)和日本的專利最為突出,日本的專利在類型方面覆蓋面較廣、技術(shù)較成熟,在設(shè)備、材料、結(jié)構(gòu)及工藝等方面也有不少專利申請(qǐng)。其次是美國(guó)和德國(guó)。另外無論從研發(fā)還是實(shí)用技術(shù)上,發(fā)達(dá)國(guó)家特別是美國(guó)、日本和德國(guó)都領(lǐng)先于我國(guó),I T O 在日本的專利尤為突出,這與日本開發(fā)平板顯示器有著非常密切的關(guān)系。隨著今后科技的發(fā)展以及能源的緊缺,節(jié)約
11、能源的高檔顯示器、高轉(zhuǎn)換率太陽(yáng)電池將會(huì)不斷涌現(xiàn),T C O 的用途將會(huì)更多,市場(chǎng)更加寬廣,前景更加樂觀。 4 光伏電池用TCO玻璃前景展望4.1 薄膜電池的發(fā)展帶給TCO玻璃的前景領(lǐng)域廣,專利數(shù)目多。從圖中看其他新型T C O 專利,處于剛剛起步,有待優(yōu)選劣汰。通用專利指使用在兩種領(lǐng)域以上,這種專利中包含了一些生產(chǎn)T C O 的設(shè)備、材料等專利。但大多數(shù)是屬于薄膜結(jié)構(gòu)和生產(chǎn)工藝方面的專利。近年來,隨著顯示器件和太陽(yáng)電池的迅速發(fā)展,銦
12、原料的緊缺和價(jià)格的上揚(yáng),替代I T O 產(chǎn)品的新型T C O產(chǎn)品不斷出臺(tái)。專利數(shù)量也不斷地增加,由于新型T C O 的出現(xiàn),整體呈現(xiàn)出一種發(fā)展趨勢(shì)。其中,I T O 技術(shù)處于一種高峰頂點(diǎn)。新的T C O 如F T O、A Z O 、G Z O 目前處于一種發(fā)展階段。日本在Z n O 方面的專利較多,中國(guó)在S n O 方面的專利較多。但目前使用中大多是以摻雜形式。I T O 專利日本有3 6 個(gè),中國(guó)有2 6 個(gè),日本的專利來自個(gè)玻璃廠家
13、和電器廠家,特別是顯示器件廠家,而中國(guó)的I T O 專利在9 4 年以后主要來自于大學(xué),以后隨著我國(guó)工業(yè)基礎(chǔ)實(shí)力的提升,企業(yè)I T O 專利的數(shù)目逐漸增加。G Z O 的專利主要來自2 0 0 6年日本日礦金屬株式會(huì)社申請(qǐng)的,A Z O 專利主要來自日本和中國(guó),中國(guó)的專利主要來自南開大學(xué)和山東大學(xué)等院校,而日本來自企業(yè),說明中國(guó)的A Z O 技術(shù)目前處于研究階段,日本已實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化,國(guó)外主要是依靠企業(yè)進(jìn)行研發(fā)。I Z O 的專利也是來自日
14、本,是住友公司的。在中國(guó)申報(bào)的專利主要來自日本,說明日本在T C O 技術(shù)方面發(fā)展較快。盡管西方其他國(guó)家也有專利申請(qǐng),但是,相比之下,數(shù)量很少,技術(shù)緩慢。2 分析中國(guó)TCO專利技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)2.1 在華申報(bào)TCO專利的發(fā)展?fàn)顩r圖1說明我國(guó)從8 7 年就有T C O 專利申請(qǐng),從那時(shí)我國(guó)已開始研究T C O 玻璃技術(shù),但數(shù)量不多,真正開始是從9 4 年。也就是從L C D 技術(shù)成熟以后,有關(guān)T C O 的專利逐漸增多。到2 0 0 4
15、年以后專利技術(shù)呈現(xiàn)爆炸式增長(zhǎng),原因就是因?yàn)榻┠旯夥a(chǎn)業(yè)的崛起,使得太陽(yáng)電池對(duì)T C O 玻璃的需求越來越大,研究、生產(chǎn)透明導(dǎo)電玻璃的機(jī)構(gòu)企業(yè)也就越來也多。曲線中前期的專利都集中在I T O 薄膜中。但圖中2 0 0 9 年專利數(shù)量下跌是由于發(fā)明專利的申請(qǐng)十八個(gè)月后才能公開,圖中并沒真正反映2 0 0 9 年專利狀況,隨著專利的公開,申請(qǐng)的數(shù)量是繼續(xù)增長(zhǎng)的。圖3:脈沖激光淀積方法圖4:在華申報(bào)TCO專利的發(fā)展曲線圖6:中國(guó)申報(bào)各種新型摻
16、雜TCO專利的發(fā)展趨勢(shì)圖8:世界各個(gè)國(guó)家的專利發(fā)展?fàn)顩r圖9:世界各國(guó)所站的專利比例圖7:世界TCO專利發(fā)展曲線 圖5:各種TCO專利的對(duì)比2.2 各種TCO專利技術(shù)情況Z n O 、I n O 、S n O 2 是三種代表性的氧化物,在這種基礎(chǔ)上,摻雜各種物質(zhì)的,其中,I T O 、A Z O 、F T O 、G Z O 、A T O 、G T O 、I Z O 是具有代表性的摻雜透明導(dǎo)電膜,本次分析中,ITO專利較多,因此把它單獨(dú)
17、挑選出來分析。可見I T O 技術(shù)發(fā)展早、應(yīng)用3 世界TCO專利技術(shù)分析3.1 世界TCO專利技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)從圖7 中看T C O 專利處于上升趨勢(shì),盡管T C O 專利起步比較早,但是早期主要集中在 T O 專利中,隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,尤其平板電視和光伏產(chǎn)業(yè)的迅猛崛起,I T O 已不能滿足需T C O 玻璃是薄膜太陽(yáng)電池的主要組成部分之一。在太陽(yáng)電池中,經(jīng)過研究、篩選T C O 玻璃與光伏電池性能最相匹配有三種,一種是I T
18、O 玻璃,它技術(shù)成熟,透光率高,導(dǎo)電性能好,膜層牢固。但隨著光伏電池對(duì)透光率、吸收光性能要求越來越高,要求T C O 玻璃的光散射能力越來越高。但是I T O 玻璃遠(yuǎn)遠(yuǎn)跟不上要求,且其激光刻蝕性能也較差,I T O 中I n 2 O 3 價(jià)格昂貴,導(dǎo)致生產(chǎn)成本很高;而且,I n 材料有毒,成膜過程中滲到襯底,毒化襯底材料,所以,制備和應(yīng)用過程中對(duì)人體有害,尤其在液晶顯示器件中污染嚴(yán)重。所以急需一種I T O 玻璃替代品,這就是第二種與太
19、陽(yáng)電池性能相匹配摻雜鋁氧化鋅的( A Z O)薄膜的誕生,其原料易得制造成本低,無毒,易摻雜,材料性能與 I T O相比美,結(jié)構(gòu)為六方纖鋅礦型。并且克服了I T O 在等離子體中不穩(wěn)定的缺點(diǎn),極其適宜做太陽(yáng)電池透明電極用。但是A Z O 膜多采用磁控濺射,投資大。第三種是F T O 膜,即S n O 2 ,其工藝有在線和離線,成本較低,激光刻蝕容易,光學(xué)性能適宜,比普通的低輻射鍍膜玻璃導(dǎo)電性能好,已成為薄膜電池的主流產(chǎn)品。晶體硅片類
20、電池的電極是焊接在硅片表面的導(dǎo)線,前蓋板玻璃僅需達(dá)到高透光率就可以了。而對(duì)于薄膜太陽(yáng)電池是在玻璃表面的導(dǎo)電薄膜上鍍制p - i - n 半導(dǎo)體膜,再鍍制背電極。因此T C O 玻璃也稱為薄膜太陽(yáng)電池前電極玻璃,這種透明導(dǎo)電膜能有效收集電池中的電流,同時(shí)它還有減反射作用,能讓更多太陽(yáng)光進(jìn)入吸收層,通常厚度只有幾微米的半導(dǎo)體材料制成。比起用料較多的晶體硅電池,薄膜電池的最大優(yōu)勢(shì)就是成本低廉、價(jià)格便宜。成為未來太陽(yáng)電池發(fā)展的主流。晶體硅價(jià)格的
21、上漲無形中推動(dòng)了薄膜太陽(yáng)電池的發(fā)展,隨著光伏產(chǎn)業(yè)以連續(xù)五年近4 0 %的速度向前發(fā)展,作為主流產(chǎn)品的晶體硅太陽(yáng)電池的上游原材料多晶硅材料出現(xiàn)空前的緊缺。目前,薄膜太陽(yáng)電池保持高速增長(zhǎng),到2 0 1 0 年將達(dá)到每年4 0 0 0 萬平方米的需用量。薄膜太陽(yáng)電池已占世界光伏市場(chǎng)份額1 0 %, 光伏用T C O 玻璃作為薄膜電池的前極電極,市場(chǎng)前景隨之而起。正是由于薄膜太陽(yáng)電池的飛速發(fā)展,使目前光伏用T C O 玻璃市場(chǎng)變得非常緊俏與晶體
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