一種0.5v高精度帶隙基準(zhǔn)源

1、西安電子科技大學(xué)學(xué)位論文獨(dú)創(chuàng)性聲明秉承學(xué)校嚴(yán)謹(jǐn)?shù)膶W(xué)風(fēng)和優(yōu)良的科學(xué)道德，本人聲明所呈交的論文是我個(gè)人在導(dǎo)師指導(dǎo)下進(jìn)行的研究工作及取得的研究成果。盡我所知，除了文中特別加以標(biāo)注和致謝中所羅列的內(nèi)容以外，論文中不包含其他人已經(jīng)發(fā)表或撰寫過的研究成果；也不包含為獲得西安電子科技大學(xué)或其它教育機(jī)構(gòu)的學(xué)位或證書而使用過的材料。與我一同工作的同志對(duì)本研究所做的任何貢獻(xiàn)均已在論文中做了明確的說明并表示了謝意。申請(qǐng)學(xué)位論文與資料若有不實(shí)之處，本人承擔(dān)一切

2、法律責(zé)任。本人簽名： 日期西安電子科技大學(xué)關(guān)于論文使用授權(quán)的說明本人完全了解西安電子科技大學(xué)有關(guān)保留和使用學(xué)位論文的規(guī)定，即：研究生在校攻讀學(xué)位期間論文工作的知識(shí)產(chǎn)權(quán)單位屬西安電子科技大學(xué)。學(xué)校有權(quán)保留送交論文的復(fù)印件，允許查閱和借閱論文；學(xué)校可以公布論文的全部或部分內(nèi)容，可以允許采用影印、縮印或其它復(fù)制手段保存論文。同時(shí)本人保證，畢業(yè)后結(jié)合學(xué)位論文研究課題再撰寫的文章一律署名單位為西安電子科技大學(xué)。( 保密的論文在解密后遵守此規(guī)定)本

3、學(xué)位論文屬于保密，在 年解密后適用本授權(quán)書。本人簽名：導(dǎo)師簽名：日期日期——————————羔L ——一Y I IIT 1 I U 8 l6 1 1 7 1 1 1 1 3 f i 6 ll 攀．摘要隨著深亞微米集成電路技術(shù)的不斷發(fā)展，集成工藝水平的不斷提高，電路設(shè)計(jì)技術(shù)的發(fā)展使得電路對(duì)參數(shù)要求越來越高，對(duì)基準(zhǔn)源的性能也提出了挑戰(zhàn)。由于帶隙基準(zhǔn)源能夠?qū)崿F(xiàn)很高電源抑制比和較低溫度系數(shù)以及對(duì)C M O S 工藝的適用性，是目前最佳的基準(zhǔn)源電

4、路。本文采用了帶隙基準(zhǔn)源的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)了一種適用于A D C 電路的低電壓，高精度的帶隙基準(zhǔn)電路。設(shè)計(jì)采用了共柵共源的電流鏡電路，以及去耦電容等濾波電路極大的提高了基準(zhǔn)源對(duì)電源電壓的抑制能力，并通過采取正負(fù)溫度系數(shù)電流一階補(bǔ)償?shù)姆绞剑@得了相對(duì)溫度系數(shù)較低的0 ．5 V 基準(zhǔn)電壓源以及電流源。本次設(shè)計(jì)使用了C h a r t e r0 ．3 5 9 M 工藝庫并在H S P I C E 下仿真。結(jié)果表明：當(dāng)溫度在．4 5 ℃～8 0 ℃變化