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文檔簡介
1、帶隙基準(zhǔn)電壓源是許多模擬電路和電子系統(tǒng)中的重要組成模塊,它已被廣泛的應(yīng)用在比較器、數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)化器、模擬/數(shù)字轉(zhuǎn)化器、動態(tài)存儲器、閃速存儲器和其它的模擬和數(shù)字電路中,因此對集成于SOC中的高性能帶隙基準(zhǔn)電壓研究具有重要的意義。一般的一階溫度補(bǔ)償帶隙基準(zhǔn)的溫度系數(shù)是30ppm/℃,隨著深亞微米集成電路技術(shù)的的不斷發(fā)展,一階溫度補(bǔ)償帶隙基準(zhǔn)不能滿足高精度系的要求,所以對高階溫度補(bǔ)償帶隙基準(zhǔn)的研究就變得十分必要。
本文首先介紹了
2、帶隙基準(zhǔn)的國內(nèi)外發(fā)展的狀況及趨勢,然后介紹了帶隙基準(zhǔn)的性能指標(biāo)和工作原理,并對一階溫度補(bǔ)償和二階溫度補(bǔ)償結(jié)構(gòu)原理進(jìn)行了比較分析。
在對各種帶隙基準(zhǔn)電壓源分析比較的基礎(chǔ)上,本文提出了一種采用 TSMC0.35μm CMOS工藝制作,應(yīng)用于一款LED驅(qū)動芯片的二階溫度補(bǔ)償?shù)母呔葞痘鶞?zhǔn)電壓源電路,該電路具有高電源抑制比和低的溫度系數(shù)。整體電路用HSPICE進(jìn)行仿真,仿真結(jié)果表明,在-25~+125℃溫度范圍內(nèi)電路的溫度系數(shù)為
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