電力電子習(xí)題

1、第1章電力電子器件1.電力電子器件一般工作在_開關(guān)_狀態(tài)。2.在通常情況下，電力電子器件功率損耗主要為_通態(tài)損耗_，而當(dāng)器件開關(guān)頻率較高時，功率損耗主要為_開關(guān)損耗_。3.電力電子器件組成的系統(tǒng)，一般由_控制電路_、_驅(qū)動電路_、_主電路（以電力電子器件為核心）_三部分組成，由于電路中存在電壓和電流的過沖，往往需添加_保護(hù)電路_。4.按內(nèi)部電子和空穴兩種載流子參與導(dǎo)電的情況，電力電子器件可分為_單極型器件_、_雙極型器件_、_復(fù)合型器件

2、_三類。5.電力二極管的工作特性可概括為_不可控器件_。6.電力二極管的主要類型有_普通二極管_、_快恢復(fù)二極管_、_肖特基二極管_。7.肖特基二極管的開關(guān)損耗_小于_快恢復(fù)二極管的開關(guān)損耗。8.晶閘管的基本工作特性可概括為正向有觸發(fā)則導(dǎo)通、反向截止。9.對同一晶閘管，維持電流IH與擎住電流IL在數(shù)值大小上有IL_大于24倍_IH。10.晶閘管斷態(tài)不重復(fù)電壓UDRM與轉(zhuǎn)折電壓Ubo數(shù)值大小上應(yīng)為，UDRM_低于_Ubo。11.逆導(dǎo)晶閘管

3、是將_二極管_與晶閘管_反并聯(lián)_（如何連接）在同一管芯上的功率集成器件。12.GTO的_陰極和門極在器件內(nèi)部并聯(lián)_結(jié)構(gòu)是為了便于實現(xiàn)門極控制關(guān)斷而設(shè)計的。13.功率晶體管GTR從高電壓小電流向低電壓大電流躍變的現(xiàn)象稱為_二次擊穿_。14.MOSFET的漏極伏安特性中的三個區(qū)域與GTR共發(fā)射極接法時的輸出特性中的三個區(qū)域有對應(yīng)關(guān)系，其中前者的截止區(qū)對應(yīng)后者的_截止區(qū)_、前者的飽和區(qū)對應(yīng)后者的_放大區(qū)_、前者的非飽和區(qū)對應(yīng)后者的_放大區(qū)_。

4、15.電力MOSFET的通態(tài)電阻具有_正_溫度系數(shù)。（）16.IGBT的開啟電壓UGE（th）隨溫度升高而_略有下降_，開關(guān)速度_低于_電力MOSFET。17.功率集成電路PIC分為二大類，一類是高壓集成電路，另一類是_智能功率集成電路_。18.按照驅(qū)動電路加在電力電子器件控制端和公共端之間的性質(zhì)，可將電力電子器件分為_電流驅(qū)動器件_和_電壓驅(qū)動器件_兩類。19.為了利于功率晶體管的關(guān)斷，驅(qū)動電流后沿應(yīng)是_負(fù)脈沖_。20.GTR的驅(qū)動電

5、路中抗飽和電路的主要作用是_使基極驅(qū)動電流不進(jìn)入放大和飽和區(qū)。21.抑制過電壓的方法之一是用_儲能元件_吸收可能產(chǎn)生過電壓的能量，并用電阻將其消耗。在過電流保護(hù)中，快速熔斷器的全保護(hù)適用于_小_功率裝置的保護(hù)。22.功率晶體管緩沖保護(hù)電路中的二極管要求采用_快恢復(fù)_型二極管，以便與功率晶體管的開關(guān)時間相配合。23.晶閘管串聯(lián)時，給每只管子并聯(lián)相同阻值的電阻R是_靜態(tài)均壓_措施，給每28.二極管的電阻主要是作為基片的低摻雜N區(qū)的歐姆電阻，

6、阻值較高且為常量，為何二極管在正向電流較大時管壓降仍然很低？這個矛盾由電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)來解釋。當(dāng)PN結(jié)注入正向電流很大時，由P區(qū)注入并累積在低摻雜N區(qū)的少子空穴的濃度上升，為維持半導(dǎo)體電中性條件，其多子濃度也大幅增加，使其電阻率上升，也就是電導(dǎo)率大大增加，這就是為什么桶大電流管壓降仍然很低。29.二極管在恢復(fù)阻斷能力時為什么會形成反向電流和反向電壓過沖？這與它們的單相導(dǎo)電性能是否矛盾？這種反向電流在電路使用中會帶來什么問題？PN結(jié)積累的大量

7、少子在反向壓降的作用下被抽出，因而流過較大的反向電流，由于反向電流迅速下降，在外電路電感作用下的作用下，產(chǎn)生反向電壓過沖。并不矛盾，只是需要一個反向恢復(fù)時間。器件關(guān)斷對電路有沖擊，在設(shè)計電路時要設(shè)計緩沖吸收電路。30.使晶閘管導(dǎo)通的條件是什么？晶閘管導(dǎo)通條件是，在正向壓降條件下，并在門極施加觸發(fā)電流。31.維持晶閘管導(dǎo)通的條件是什么？怎樣才能使晶閘管由導(dǎo)通變?yōu)殛P(guān)斷？通過晶閘管的電流大于能保持晶閘管導(dǎo)通的最小電流，即維持電流；在外加電壓和

8、外加電路的作用下，使流過晶閘管的電流降到零以下的某個數(shù)值，便可使晶閘管關(guān)斷。32.GTO和普通晶閘管同為PNPN結(jié)構(gòu)，為什么GTO能夠自關(guān)斷，而普通晶閘管不能？由普通晶閘管分析，GTO不同之處在于，較大，這樣控制靈敏，使2?2VGTO易于關(guān)斷。使導(dǎo)通的接近于1，這樣GTO的飽和程度不深，接近21???臨界飽和（缺點導(dǎo)通時管壓降增大）。多元集成使GTO的門極和陰極距離減小，使橫向電阻很小，從而從門極抽出大電流成為可能。33.GTR的安全工