2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁(yè)
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1、1.1.請(qǐng)描述晶圓的主要晶向和類型,畫出主切變與副切邊的關(guān)系示請(qǐng)描述晶圓的主要晶向和類型,畫出主切變與副切邊的關(guān)系示意圖,并指出意圖,并指出BipolarBipolar和CMOSCMOS最常用的晶圓類型。最常用的晶圓類型。(5(5分)答:(a)P型(b)N型(c)P型(d)N型Bipolar主要采用晶圓,而CMOS主要采用P型晶圓。2.2.請(qǐng)將常用請(qǐng)將常用ICIC制造工藝歸納為四大基本工藝,并指出各包含具體制造工藝歸納為四大基本工藝,并

2、指出各包含具體工藝。工藝。(5分)分)答:(1)Adding:Dopinglayergrowthdeposition(2)Removing:EtchcleanCMP(3)Patterning:photolithography(4)Heating:Annealingalloyingreflow(2)在Si表面鍍上一層非晶硅。(3)將硅晶片表面預(yù)先用Ar離子處理使之形成非晶層或用光掩模膠涂覆。5.5.請(qǐng)描述集成電路制造中的三種擴(kuò)散類型及各自

3、的特點(diǎn),并畫出不請(qǐng)描述集成電路制造中的三種擴(kuò)散類型及各自的特點(diǎn),并畫出不同擴(kuò)散方式對(duì)應(yīng)雜質(zhì)分布示意圖。同擴(kuò)散方式對(duì)應(yīng)雜質(zhì)分布示意圖。答:擴(kuò)散類型及特點(diǎn)如下:(1)恒定表面源擴(kuò)散:表面濃度一定下,擴(kuò)散時(shí)間越長(zhǎng),雜質(zhì)擴(kuò)散距離就越深,擴(kuò)散到硅片的雜質(zhì)數(shù)量就越多。(2)有限表面源擴(kuò)散:擴(kuò)散時(shí)間越長(zhǎng),雜質(zhì)擴(kuò)散得也就越深,表面濃度越低。擴(kuò)散時(shí)間相同時(shí),擴(kuò)散溫度越高,雜質(zhì)擴(kuò)散越深。(3)兩步擴(kuò)散:包括預(yù)擴(kuò)散和再分布兩個(gè)過程,預(yù)擴(kuò)散為恒定表面源擴(kuò)散,而

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